实用化的Ⅰ谱线光刻

本文给出了10X I谱线(365nm)硅片步进机用于VLSI器件布线图形制作的结果;给出了I谱线透镜热稳定性数据和有生产价值的0.8微米单层抗蚀剂工艺性能的数据;还给出了常规光致抗蚀剂在使用I谱线光源时其特性响应改变的数据。     

电子工业部、厦门市政府联合召开了电子技术合作会议

四月二十三日至二十六日,电子工业部和厦门市人民政府在厦门市联合召开了电子技术合作会议。电子工业部所属49个院、所的105名代表与厦门市36个电子厂所的93名代表共聚一堂,为把厦门办成电子工业的一个重要出口基地,进行了友好的洽谈,取得了重要的成果。这次会议共签订了三十六份协议书,其中包括在厦门建立磁记录、传感器、光纤通信、计算机、共用电视天线技术等五个研究分所的协议。电子工业部科技司和厦门市人民政府签订了电子信息技术长期合作协议,为今后的联合打下了坚实的基础。这次签订协议的合作项目有碳膜电阻生产线、声控节能开关、渔群探测仪配套用的换能器、H灯、石英钟用步进电机,无针式微波针灸仪、集成电路开发生产线、无线传呼电路、彩电配套高频小功率晶体管、程控交换机、电缆电视、初速雷达电源、温差致冷堆、太阳能充电器、锂锰电池、智能电子玩具、光纤连续器、红外夜视仪等。我所与厦门市有关厂所签订了两项协议。     

一般的按比例缩小理论及其在0.25微米MOSFET设计中的应用

本文中,我们介绍了一般的按比例缩小理论,该理论在电场分布形状始终保持一定时,允许独立地按比例缩小场效应晶体管的物理尺寸和电源电压。这样,虽然电场强度允许增加,二维效应仍可控。由此而产生的设计的灵活性,使室温或液氮温度下的0.25微米沟道长度的场效应晶体管的设计变得可能。然后详细研究了按比例缩小理论的物理极限,得出下述结论:0.25微米沟道长度情况下,场效应晶体管未达到其极限极能。只要某些工艺取得突破,将来有可能进一步改进。     

CMOS闭锁时的维持电流分析

我们研究了有阱的或者无阱的CMOS处于闭锁状态时维持电流与衬底偏置的关系。测量结果表明:维持电流随着反偏电压的增加和分流电阻的减小显著地增大。业已证明:早期的维持电流方程是错误的,故而提出一种含有偏压的新的维持电流方程。