基于切屑形态的钛合金切削性能研究

以切屑形态作为评价钛合金切削性能的指标,研究切削参数对钛合金切削性能的影响并总结规律。对钛合金TA15进行切削加工,采用单因素方法进行实验,收集切屑并制备切屑试样后用金相显微镜拍照观察,最后,应用ABAQUS有限元软件模拟钛合金在不同切削速度下的切削过程,与观察结果相结合。研究结论表明,切削速度、进给量和切削深度的增大均会使切屑的锯齿化程度变大,切削加工时采用较小的切削速度、进给量和切削深度能够使得材料的切削性能得到提高。     

射灯天线在LTE网络深度覆盖中的应用模型研究

针对射灯天线在LTE深度覆盖中的应用,建立信号预测模型.该模型能够为无线网络规划提供比较精确的覆盖预测,并提出了射灯天线选型、需求数量计算、下倾角设计等工程参数建议,实现兼顾覆盖和建设成本.CQT测试结果表明,测试数据与模型预测结果一致.     

LD泵浦双棒Nd∶GdVO4激光器

为了获得可对红外成像探测器具有干扰效果的高功率、高重复频率3.8 μm中红外激光,首先通过LD侧面泵浦双棒技术和高重复频率声光调Q技术,获得高功率高重复频率1.06 μm激光,再将其作为泵浦光进行非线性差频试验,获得3.8 μm激光输出.将输出的3.8 μm中红外激光用于红外探测器的干扰试验,获得了较好的干扰效果.     

TCA785移相控制芯片应用

本文阐述了在晶闸管控制系统中经常采用的一种由德国西门子公司生产的一种性能优良的移相控制芯片TCA785特点，以及在某雷达锥扫控制系统中的具体应用。     

背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。     

机载高性能多格式视频叠加技术

随着计算机技术与视频图形图像技术的不断发展,机载航空电子系统中的综合显示处理技术也得以长足发展,需要处理和显示的视频信息量越来越大,格式越来越多。文章研究能够在机载综合显示系统中实现多种视频格式的选择和叠加功能。结合机载综合显示系统对视频技术的需求,研究了高性能多格式视频叠加模块的硬件设计和软件叠加算法。在机载综合显示系统液晶显示器上实现了叠加后的视频图像,满足了机载显示系统的要求。     

二氧化钒纳米周期点阵的光学特性

为了得到相变温度低且性能优越的智能窗光学材料,基于时域有限差分法模拟计算了不同结构的VO_2纳米周期点阵相变前后的光学特性,优选出最佳的VO_2纳米周期点阵结构.采用直流磁控溅射和后退火工艺在玻璃衬底上制备VO_2薄膜,再利用掩膜光刻的方法制备VO_2纳米周期点阵结构,测试其组分结构,反射和透过率曲线.结果表明,填充比为0.74的圆形纳米周期点阵的相变温度有效降低了约25℃,在波长为1700 nm处的透过率改变量达到39%,透过率整体高于VO_2薄膜,呈现出良好的相变光学特性,说明通过调控VO_2纳米周期点阵的结构可以有效提升材料的光学特性.     

干气密封气源预处理系统在天然气管道压缩机上的应用

天然气长输管道压缩机首次开车通常采用外部洁净液氮作为干气密封气源,投产费用较高且存在安全隐患。干气密封气源预处理系统直接引入管道内天然气,进行三级递进分离净化后作为密封气源,三级分离分别采用气液分离器、不锈钢丝毡滤芯过滤器和凝聚式滤芯过滤器。该系统撬装化设计,简化了工艺和设备投入,可重复使用。实践表明该系统可大幅降低压缩机开工投资,安全可靠,经济效益好。     

如何区分土阻力异常与桩倾斜异常

首先分析了土阻力对应力波的影响,然后通过检测实例,说明了土阻力与桩倾斜对应力波影响的异同点.