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51.
我们报道了一种“金属-量子点-金属”结构的自对准制备方法。该方法主要包括“电子束曝光-薄膜淀积-刻蚀”工艺,具有套刻容限大、开发周期短以及可兼容多种材料等优点,尤其适用于具有类似结构的纳米器件制备。该方法中使用的牺牲层工艺和强化版图,降低了剥离工艺的难度,提升了可制备器件结构的力学强度。最后,作为应用实例,我们用该方法制备了尺寸为 255 nm × 45 nm × 30 nm( 长 × 宽 × 高)的相变节点。 相似文献
52.
研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合。在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好。 相似文献
53.
54.
55.
以提高通信信号质量和降低其受多径效应的影响为背景,介绍了恒模算法(CMA)及构造函数算法(CF算法),并在此基础上针对其不足作了相应的改进,提出分数间隔修正构造函数盲均衡算法(FSE-MCF)。对改进算法的均衡性能进行了仿真,仿真结果分析可知,新算法与CF算法相比较,在相同信噪比条件下可以进一步减小稳态误差,加快收敛速度,有较好的均衡性能。 相似文献
56.
针对在提升高动态范围红外图像中潜在或弱小目标细节的同时,还需兼顾噪声抑制、对比度增强的问题,提出了一种基于引导滤波图像分层的动态范围及细节增强算法.对背景层采用平台直方图均衡算法进行压缩,对细节层先采用中值滤波进行去噪,再采用非线性映射对细节中潜在的弱小目标细节进行增强,最后按照一定权重合并得到细节增强后的图像.综合主、客观实验结果,相对于映射类、直方图均衡、双边滤波分层增强等算法,该算法能够在动态范围压缩的过程中提高红外图像目标场景的对比度,突显其纹理特征,取得良好的细节增强效果. 相似文献
57.
多TDI CCD拼接相机在异速工作模式下,不同通道的CCD图像间会存在相互干扰现象,不同行频差会在图像上产生不同斜率、不同宽度的干扰斜条纹。为了解决此问题,文中对原设计电路系统进行了详细分析和优化设计。首先,从异速时序在不同行周期的相位差别上进行分析,异速模式下不同CCD成像电路时序间存在行频差异,导致各个行周期内CCD个别像元上与其他像元叠加的干扰不一致,是干扰斜条纹产生的原因。然后,采取优化关键信号布线方式、系统地和电源布置、去耦电容接地方式等多方面对电路系统进行了改进,优化多TDI CCD成像系统电路抗异速干扰设计。最后,对改进后的电路系统进行测试,去除干扰斜纹,并将图像均方根噪声水平由21.5 mV降低到4.2 mV。结果表明:采用抗干扰技术,有效地去除了通道间干扰斜纹,提高了图像质量。 相似文献
58.
太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7~60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK. 相似文献
59.
60.
本文首先介绍了TDI-CCD的原理与结构,然后围绕IL-E2 TDI-CCD详细介绍了我们设计的TDI-CCD成像电路。时序控制器基于FPGA实现,产生CCD成像系统的控制时序和设置各种成像参数;功率驱动电路将时序发生单元产生的单一逻辑电平转换为TDI-CCD所需的各种电平,并提供给TDI-CCD容性负载瞬态电流的驱动能力;级数选择部分采用模拟开关实现;针对CCD输出的视频信号特点,设计了低噪声放大预处理电路;信号处理采用了集成相关双采样、可编程增益控制、数字化偏置控制、嵌位、A/D转换等功能于一体的CCD视频处理专用集成芯片TDA8783。本设计实现了CCD成像系统的控制和处理,得到了高质量的图像。 相似文献