FeCuNbSiB非晶软磁带材的制备及其缺陷分析

采用单辊法制备了宽4mm、厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材,并对带材进行了成分和金相分析。结果表明：非晶带材表面硅和铌元素存在成分偏析,而且氧化现象严重。在厚度方向各元素分布比较均匀。带材表面存在大量周期性出现的气孔带,同时伴随着一条条冷隔纹路缺陷,纹路基本垂直于带材长度方向。带材贴着铜辊一面光滑,而反面凹凸不平,非常粗糙。     

双施主对受主补偿的BaTiO3系PTCR材料的影响

采用过剩施主二次掺杂法，研究双施主二次掺杂时两种施主相对比例不同对于BaTiO3材料性能的影响，发现过剩施主二次掺杂对受主杂质进行补偿比一次掺杂效果好，在相同掺杂量的情况下，可获得更大的PTC效应和更低的室温电阻率。采用Sb、Y过剩双施主对受主进行补偿，当双施主相对比例变化时，存在PTCR材料α30℃=0．4℃^-1的极大值。采用过剩双施主对受主进行补偿，可获得升阻比〉7，温度系数α30℃〉0．30℃^-1的PTCR材料，有效地降低原料成本。     

GaAs／（Pd，Ti，Pd，Au）多层膜的退火扩散机制

采用扫描俄歇电子能谱法,对GaAs／Pd(50A)Ti(400A)Pd(400A)Au(2000A)在不同退火条件下多层膜间的扩散机制进行了研究．结果表明,薄膜与衬底结合较好,各层薄膜之间的扩散随退火温度的升高而更加充分,在450℃以上退火后,各层薄膜之间发生了充分的扩散,并且薄膜与衬底结合更好．     

介孔CeO_2载体织构性质对Au-Pd催化剂性能的影响

以硝酸铈铵为前驱体,分别采用表面活性剂嵌段共聚物F127、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和十六胺(HDA)合成介孔CeO2(m-CeO2)载体,研究了m-CeO2织构性质对Au-Pd双金属催化剂甲醇部分氧化制氢性能的影响,并运用HRTEM、XRD、TPR、H2-TPD、CO2-TPD和低温N2吸附等手段对Au-Pd双金属催化剂进行了表征。结果表明,HDA为表面活性剂合成的m-CeO2(H4)具有较大的比表面、孔容和孔径。H4负载的Au-Pd催化剂显示出较高的催化活性和氢气选择性。表征结果表明,Au-Pd/H4催化剂中贵金属的分散度较高、形成的Au、Pd活性中心较多,金属与载体的相互作用较强,表面的碱中心较多,产物H2较易脱附。