碳化硅晶须生长机理的研究

用扫描电子显微镜对实验所制备样品进行形貌观察,用X衍射仪对样品进行了标定。结果表明,实验所得样品为β—SiC晶须。对SiC晶须的生成反应进行了热力学计算,并从动力学形核及晶体结构的角度分析了SiC晶须生长的机理。