一种MEMS复合牺牲层工艺的研究

以MEMS滤波器中的MEMS开关牺牲层的工艺为例,通过同时运用聚酰亚胺和正胶作为牺牲层材料的方法,避免了牺牲层单独使用聚酰亚胺做材料难于去除,或单独使用光刻胶做材料,叠层旋涂光刻胶时会出现龟裂的缺点.改善了牺牲层固化和刻蚀的效果,减小了刻蚀的时间.此研究应用在表面微细加工工艺中,对MEMS加工工艺具有一定的参考价值.     

高磁感取向硅钢二次再结晶研究

采用OM、XRD技术对高磁感取向硅钢二次再结晶过程显微组织和晶体织构进行分析研究,结果表明：高磁感取向硅钢二次再结晶温度区间为1 015~1 030 ℃;高斯晶粒异常长大前,初次再结晶晶粒长大缓慢,1 010 ℃时初次晶粒尺寸为25.9 μm;初次晶粒织构集中在{113},异常长大的晶粒为位向准确的高斯取向晶粒。