ATM网络的使用参数控制

使用参数控制（ＵＰＣ）是ＡＴＭ网络流量控制的一个重要手段。文章从对ＵＰＣ的要求出发,分析了几种ＵＰＣ监测机制,并给出它们的实现方法。另外 ＵＰＣ机制对违 约信元采取的向种警管措施,指出了它们的优缺点,并在此基础上提出了一种新的警管想法。     

用凌阳SPCE061A实现的液体点滴速度监控装置

2003年全国大学生电子设计竞赛已经结束。本文介绍竞赛的F题。通过凌阳16位单片机SPCE061A实现一个液体点滴速度控制系统,其中包括键盘设置、动态显示、点滴速度检测、储液瓶液面检测以及电机控制、异常情况报警等功能,并且该系统作为一个子系统能够和主系统进行通讯。从站部分     

多普勒计程仪辅助捷联惯导初始对准技术研究

针对捷联惯导系统初始对准精度问题,提出了一种采用多普勒计程仪辅助捷联惯导系统进行初始对准的方法。分析了多普勒计程仪测速误差的形式,建立了多普勒计程仪与捷联惯导系统的误差模型,通过输出校正的方法修正多普勒计程仪的速度信息,为惯导系统提供准确的载体速度信息,采用卡尔曼滤波进行捷联惯导系统的精对准。并对舰船匀速直航状态时,多普勒计程仪辅助捷联惯导系统的初始对准进行了仿真分析。理论分析与仿真结果表明:该方案能有效地解决舰船的初始对准问题,收敛速度较快,而且具有较高的精度。     

基于FPGA的多通道串行A／D转换器的控制器设计

在低成本、多通道数据采集系统中,串行接口A/D转换器得到了广泛的应用,但是通道的轮换以及串行数据的传输会降低数据采集的速度和CPU的工作效率。以ADS7844为例介绍基于FPGA和VHDL语言的A/D控制器设计方法,并通过计算机时序仿真结果验证了该控制器的正确性。该控制器具有输入通道自动转换、数据并行输出等特点,提高了采集速度和CPU的工作效率。     

抛光垫使用期对300 mm Si片Haze值影响研究

抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一.由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣.通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高.从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义.     

电解质对高压(160 V)液体钽电容器电性能的影响

研究了有机物对液钽电容器工作电解质闪火电压及电导率的影响。试验表明,适当的有机物加入工作电解质中,可以吸附在Ta2O5介质膜表面,减少阳极界面处阴离子的有效浓度,使工作电解质闪火电压适当提高。利用所研制的工作电解质浸渍装配成160 V/47μF的液钽电容器,经1 000 h高温负荷实验,测试结果表明电容器电性能良好。     

高温氩退火对提高Si片质量的研究

首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。     

双芯光子晶体光纤耦合长度研究

利用光束传播法模拟了光波在不同结构的双芯光子晶体光纤内的传输状况,并计算了其耦合长度。分析了耦合长度随光波长、孔半径变化的一般规律;当双芯光子晶体光纤的结构一定时,耦合长度随波长增大而减小;孔间距和波长不变时,耦合长度随空气孔半径增大而增大。     

激光法测量湍流流场时散射粒子的选择

激光技术测速时需要有合适的粒子。本文研究了用三维粒子动态分析仪(PDA)测量湍流流场时选择合适的散射粒子的问题。试验结果和理论分析表明:(1)散射粒子的特性参数是影响测速精度的重要因素;(2)在湍流度较高的流场中测量时应尽可能选择直径小、密度低、折射率大的粒子作为散射粒子,而且粒子散播的浓度要合适。     

1000万t/a常减压装置转油线焊缝泄漏及检修施工裂纹产生原因分析及其对策

对转油线焊缝泄漏及弯头更换产生裂纹的原因进行分析,根据实际情况重新拟定工艺,并成功修复,为在用复合钢管的检维修施工积累了宝贵经验。