基于STC12C5410AD单片机的数字电源设计

介绍一种基于STC12C5410AD型单片机的数字电源设计,用单片机实现电源的配置、监控、管理功能和整个电源转换回路的数字化控制.首先介绍数字电源的概念及特点,然后着重讨论数字电源系统硬件的组成、PWM(脉宽调制)稳压回路和电源滤波电路的设计、数字电源的软件设计,最后介绍电源的实验结果.经过实际测试,该数字电源系统取得了比较满意的设计结果.     

无接触智慧云测温系统

由于海外愈加严重的疫情形势以及传播能力更强的新冠病毒变异毒株,我国的复工复产复学面临着严峻的考验.在新冠病毒的常态化防控中,体温测量是最简单而且最有效途径.然而传统的水银体温计测量需要耗费过长的时间且因接触需要反复消毒,体温枪又无法对测量的体温数据进行记录保存.本系统以STC8A8K64S4A12单片机为核心,MLX9...     

MEMS技术对火控系统的影响

结合火控系统的发展趋势，说明了MEMS技术在火控系统中的应用，分析了MEMS技术在机械结构、系统性能以及体系结构等方面对火控系统的影响。     

基于模糊逻辑的无线网络流量自适应控制

文章在分析现有提高无线TCP性能方案的基础上，提出一种新的流量控制方法，即基于显式窗口反馈的无线网络流量控制方案。在Snoop中引入有线网络的显示窗口自适应（EWA）算法，通过对BS共享缓存的实时监测，应用模糊控制算法预测当前拥塞窗口（cwnd）的大小，并显式反馈给发送端，使TCP的发送窗口能快速响应网络负荷状况的变化．避免分组的丢失。仿真结果表明．该方法增强了网络对拥塞的自适应性以及对无线信道差错的实时处理能力．提高了网络的吞吐量。     

电介质膜增强的Goos—Hǎnchen位移的微波测量

如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜（介质膜的另一侧为折射率更低的介质，如空气），并且恰当选择基底内光束的入射角，使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射，那么反射光束的Goos—Hǎnchen（GH）位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化，测量结果与理论预言吻合得较好。     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。     

飞行模拟器电动操纵负荷系统的迭代学习控制研究

为提高电动操纵负荷系统力感跟踪精度、动态性能,阐述了电动操纵负荷系统组成及工作原理;建立系统数学模型,在电流和速度双环伺服控制的基础上,提出迭代学习控制加前馈补偿复合控制策略;利用阶跃与正弦响应信号对系统进行仿真测试和分析。仿真结果表明,采用迭代学习加前馈控制策略,系统跟踪精度进一步提高,动态性得到改善,可应用于实际操纵负荷系统。     

支持下一代无线宽带应用自适应QoS模型的研究

作为真正完整的下一代网络 ( NGN,Next Generation Network)解决方案 ,NGN需要在固定通信领域和移动通信领域都能够支持综合多媒体特性。NGN中的新一代移动通信网承载在开放式、层次化结构的分组交换网络之上 ,能够为用户提供端到端的 Qo S解决方案。本文分析了下一代移动通信系统中多媒体宽带应用的 Qo S问题 ,从无线通信系统的多层次结构出发 ,建立了业务流的 Qo S指标评判体系 ,为下一代网络中的无线宽带应用提供了一种自适应Qo S控制模型     

半导体整体市场回暖晶圆设备商拼抢激烈

全球半导体市场的回暧,连带整个产业链开始出现新一轮蓬勃发展的迹象.市场调查机构GartnerDataquest的研究资料显示,2004年全球半导体设备销售额预计达320亿美元,增长40%,主力贡献将来自封装测试设备和自动化测试设备市场.原本抢眼的晶圆设备市场似乎风光不再,成长力道有限;而晶圆设备厂商则认为晶圆代工厂商产能告急,加之300mm晶圆厂和130nm及更低制程技术相关配备的升级、产能提升,均将带来巨大的市场需求.因此包括应用材料、诺发(Novellus)等公司在接获订单和新产品推广方面也表现地颇引人注目.     

各组分体积分数对碱性抛光液存储时间的影响

主要研究了碱性抛光液各组分体积分数对其有效存储时间的影响。实验中每隔两个月测试了抛光液的pH值、平均粒径和Cu膜去除速率等参数随存储时间的变化值。研究表明:FA/O螯合剂体积分数是影响抛光液有效存储时间的主要因素,螯合剂体积分数越高抛光液的有效存储时间越短。在FA/O螯合剂体积分数较低时(8%),Cu布线碱性抛光液的有效存储时间在半年以上,基本能够符合产业化要求。SiO2磨料体积分数和非离子型表面活性剂体积分数是影响碱性抛光液有效存储时间的次要因素,对其有效存储时间影响不明显。