区间参数分数阶时滞系统鲁棒稳定域

对区间参数分数阶时滞系统,提出了对分数阶PIλDμ控制器求其鲁棒稳定域的方法.利用边界理论将区间参数分数阶时滞系统分解为若干顶点子系统,求出各顶点子系统特征多项式和与之相对应凸多面体棱边的集合.应用D分解方法分别求出使各子系统获得最大稳定域时的PIλD和PIDμ控制器的参数λ和μ,从而获得了分数阶PIλDμ控制器的参数.由该分数阶PIλDμ控制器计算各个子系统的稳定域,各子系统稳定域的交集即为原区间参数时滞系统的稳定域;并证明了该域为区间参数分数阶时滞系统的鲁棒稳定域.通过实例的验证表明,该算法是可行有效的.     

曙光煤矿2#煤层巷道支护参数研究

以曙光煤矿辖区有关的地质力学为依据,运用理论分析、现场观测等方法对曙光煤矿开采方法改革当中的巷道锚固支护的理论及工程技术问题进行了探讨分析．确定了2#煤层采区巷道的支护方案。     

基于分段修复的区域路由协议

在自组网中,ZRP的域间路由维护策略使ZRP具有较多的丢包数目和较多的路由重发现次数。前者使ZRP的数据包投递率较低,从而使其可靠性较低;后者使ZRP的传输时延和路由开销较高。针对上述问题,提出一种基于分段修复的区域路由协议SRZRP(Segmented Repairment based Zone Routing Protocol)。在SRZRP中,每个节点通过维护一个基于域内拓扑结构的有向无环图来保存到达其域内每个节点的多条备份路由,尽量利用备份分段路由进行域间路由修复。理论分析表明,SRZRP具有较高的可靠性。仿真结果表明,SRZRP提高了数据包投递率,说明SRZRP提高了协议的可靠性;同时,SRZRP降低了平均端到端时延和路由开销。     

PPS/CaCO_3复合材料界面应力分布的三维有限元模拟

以碳酸钙粒子(CaCO_3)填充聚苯硫醚(PPS)粒子为研究对象,用ANSYS/LS-DYNA软件对复合材料冲击过程中界面应力分布进行了有限元分析。结果表明:在粒子的赤道处,正应力、剪切应力和等效应力均为最大,朝极点方向迅速减小,在距赤道约0.5~2.0μm之间达致最低点,然后趋于平缓或略微回升。并介绍了PPS/CaCO_3复合材料在冲击载荷下失效或断裂的主要机理。     

聚合物熔体挤出流动中的弹性行为

研究了聚合物熔体挤出过程中出口压力降ΔＰｅｘｉｔ与剪切应力τｗ和挤出胀大比Ｂ三者之间的关系。提出了描述这一关系的方程：ΔＰｅｘｉｔ＝τｗ（Ｂ＾４－１）＾０５／３。初步验证，用该方程计算的ΔＰｅｘｉｔ值与文献提供的毛细管挤出实测值有较好的一致性。     

蒙药阿嘎日-35中多元素的测定——微波消解/等离子体发射光谱法

采用微波消解-ICP-AES法测定了蒙古药-阿嘎日-35中的Fe,Cu,Cd,Ca,Mg,Mn,Zn,Sr,Co,Ni,Cr等金属元素的含量。实验结果表明,微波消解法快速、高效、节约试剂,并在高压密封系统中进行消解,避免了样品的污染,过程易于控制,消解效率高。微波消解/等离子体发射光谱法测定的结果,回收率为98.5%~105.1%,RSD为0.4%~2.3%。蒙古药-阿嘎日-35中含多种金属元素,尤其Ca,Mg,Sr,Fe,Zn的含量较高。     

高层框支剪力墙结构转换层施工

概述了某大厦工程框支剪力墙结构转换层施工方案、模板施工设计及其支撑措施、混凝土浇筑及温度控制等，期望给类似工程结构转换层施工提供参考。     

794矿尾矿渣场镭比活度计算法参数试验结果分析

介绍了利用镭比活度计算法确定核工业794矿铀尾渣场氡析出率所用参数——氡射气系数和氡扩散系数的测量结果及其分析对比,野外采样室内化学分析镭比活度与γ能谱测量镭比活度对比,探讨了在北方气候条件下,铀尾渣场氡射气系数和扩散系数的变化规律和特点,以及这些参数测量的最佳气候和季节,并对镭比活度计算法的特点和测量结果进行了分析。     

H1总线流量的参数估计

本文通过对基于H1总线的信息网络过程监控层的业务量测量,证实了该业务量具有典型的自相似性。在此基础上对基于H1总线的信息网络监控层流量与纯H1总线网络监控层流量的H值估计进行了分析与比较,得出了纯H1总线网络监控层流量的H值在一个较小的区间内波动的结论。最后在多次采样的基础上使用了均值法对纯H1总线网络监控层流量的H值进行估计。     

Fabrication of GaN films through reactive reconstruction of magnetron sputtered ZnO/Ga_2O_3

1　INTRODUCTIONGallium nitride (GaN) is one of the most po tential semiconductors. GaN has a direct energyband gap of 3.4 eV at room temperature and highexternal photoluminescence quantum efficiency, aswell as a high excitonic binding energy of20 meV[1]. It is an ideal material for fabrication ofultraviolet(UV)/blue/green light emitting diodes(LEDs), laser diodes(LDs), UV detectors and de vices operating in high temperature, high frequen cy and high power co…