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总结了当代世界大氯碱企业原料多样化、技术高新化、加工深度化、产品精细系列化、专用化、高附加值化、规模经济化、经营国际化的特点;分析了我国氯碱行业处于经济体制和经济增长方式转变时期,面临历史性发展机遇和国外同行业巨大挑战的现状;提出了国内氯碱企业相应的发展战略:在“十五大”精神推动下,破除旧观念;树立新观念,以“大力发展精细化工”为战略重点,围绕“氯碱平衡”这个中心,以氢碱基本产品为基础,大力培植并 相似文献
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The effect of Al incorporation on the effective work function(EWF) of TiN metal gate was systematically investigated.Metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors with W/TiN/Al/TiN gate stacks were used to fulfill this purpose.Different thickness ratios of Al to TiN and different post metal annealing(PMA) conditions were employed.Significant shift of work function towards to Si conduction band was observed,which was suitable for NMOS and the magnitude of shift depends on the processing conditions. 相似文献
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We evaluated the TiN/TaN/TiA1 triple-layer to modulate the effective work function (EWF) of a metal gate stack for the n-type metal-oxide-semiconductor (NMOS) devices application by varying the TiN/TaN thickness. In this paper, the effective work function of EWF ranges from 4.22 to 4.56 eV with different thicknesses of TiN and TaN. The thinner TiN and/or thinner in situ TaN capping, the closer to conduction band of silicon the EWF is, which is appropriate for 2-D planar NMOS. Mid-gap work function behavior is observed with thicker TiN, thicker in situ TaN capping, indicating a strong potential candidate of metal gate material for replacement gate processed three-dimensional devices such as FIN shaped field effect transistors. The physical understandings of the sensitivity of EWF to TiN and TaN thickness are proposed. The thicker TiN prevents the A1 diffusion then induces the EWF to shift to mid-gap. However, the TaN plays a different role in effective work function tuning from TiN, due to the Ta-O dipoles formed at the interface between the metal gate and the high-k layer. 相似文献
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缠绕式提升系统动态分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了缠绕式提升系统的动态性能 ,建立了力学模型和数学模型。对紧急制动工况下的动态响应进行了求解 ,为计算提升钢丝绳的动载荷提供了依据和方法 相似文献