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利用真空蒸发技术生长了层厚为纳米数量级的n型导电系衍生物 (全氟取代酰亚胺 ) /p型导电无金属酞菁异质复合多层膜 ,并测试了样品的紫外 -可见吸收光谱。UV -Vis吸收谱实验结果表明 ,对应酞菁Q带吸收的主峰消失 ,次峰发生蓝移 ;全氟取代酰亚胺的吸收峰也发生蓝移 ,吸收带宽度扩展。结果表明 ,复合多层结构中与酞菁之间的电荷转移及纳米层厚导致的量子尺寸效应使分子中电子跃迁发生变化 ,导致吸收谱改变 相似文献
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用真空蒸发制备了酞菁氧钒 (VOPc)薄膜 ,并在磁场中进行了热处理。用X光电子能谱、X射线衍射、紫外 可见吸收光谱、原子力显微镜等手段对制备的薄膜进行了表征。结果表明沉积的酞菁氧钒薄膜为α 型 ,成分接近酞菁氧钒的分子式。制备的薄膜在磁场中进行了热处理 ,发现磁场使酞菁氧钒薄膜性质发生改变 :UV VIS吸收谱Q带发生红移 ;XRD谱图衍射峰强度明显增强 ,峰位略有变化 ;原子力显微镜 (AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。以上结果说明磁场的存在使得VOPc分子在热处理过程中发生了定向的排列 相似文献
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1,研究了四氯苯醌(TcBQ)与10个α,β-不饱和羰基化合物(E-和Z-苄叉丙酮、E-和Z-肉桂酸乙酯、E-和Z-3-硝基肉桂酸乙酯、E-和Z-查尔酮、E-p-FC_6H_4CH=CHCOC_6H_5,E-3,4-亚甲二氧基查尔酮)以及E-β-溴代苯乙烯的光化环加成反应。用>400nm的光照射TCBQ与上述E-或Z-式烯烃的苯溶液时,以较高产量(72%— 相似文献
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碳的加入改进了锗硅材料的性能,同时也为半导体器件的研制开发创造了条件,增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了SiGeC材料在硅基器件方面的应用,包括光探测器、MOS场效应晶体管、HBT等。 相似文献
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利用酞菁铅气体传感器的瞬态特性提高传感器的选择性 总被引:2,自引:0,他引:2
通过真空蒸发沉积技术在叉指状电极上制备了酞菁铅薄膜气体传感器。实验发展,酞菁铅薄膜对甲醇和丙酮这两种蒸气具有很高的灵敏度。对于甲醇蒸气,酞菁铅薄膜具有很快的响应速度,吸附和脱附时间只要2-3s,信号随即趋于稳定。对于丙酮蒸气,在吸附的初试阶段酞菁铅薄膜的响应时间与吸附甲醇蒸气时的相差不大,但酞菁铅薄膜的电阻率在经过这个快速响应变化以后并不趋向一个稳定值而是缓慢上升,最后甚至比吸附前的电阻率略高。通过电阻率-气体吸附时间响应曲线的瞬态特性分析,方便、清楚地区分了甲醇和丙酮两种液体。 相似文献
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用真空蒸发制备了酞菁氧钒(VOPc)薄膜,并在磁场中进行了热处理。用X光电子能谱、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、原子力显微镜等手段对制备的薄膜进行了表征。结果 表明沉积的酞菁氧钒薄膜为a-型,成分接近酞菁氧钒的分子式。制备的薄膜在磁场中进行了热处理,发现磁场使酞菁氧钒薄膜性质发生改变:UV-VIS吸收谱Q带发生红移;XRD谱图衍射峰强度明显增强,峰位略有变化;原子力显微镜(AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。以上结果说明磁场的存在使得VOPc分子在热处理过程中发生了定向的排列。 相似文献
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酞菁类化合物由于自身的各种特性在众多领域得到了广泛的应用 ,成为功能材料研究领域中的热点之一。在本文中 ,我们主要研究了真空沉积法制备的两种金属酞菁类材料PbPc与VOPc的单成分膜和复合膜的性质 ,并对其进行了紫外 可见吸收光谱和X光电子能谱的测试 ,发现两者之间的复合并不是简单的叠加 ,两种材料分子之间发生了相互作用 相似文献
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采用反应条件温和的水热法制备Li+掺杂的YBO3:Eu3+荧光粉。通过掺入不同量的Li+研究其对荧光粉YBO3:Eu3+的物相结构、微观形貌及光致发光特性的影响。用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),荧光分光光度计及X射线能量色散谱仪(EDS)等手段表征材料性能。结果表明:Li+掺杂能够提高荧光粉YBO3:Eu3+的发光强度,最大能提高近20%。发光增强与Li+掺杂量的多少有关,同时也可能与Li+改变YBO3晶体场环境有一定关系。 相似文献
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在三电极电化学池中,以ITO透明导电玻璃作为工作电极,在硫酸铜-乳酸钠体系中采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O薄膜,并讨论pH值和热处理对Cu2O薄膜结构和光学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)和紫外-可见光光谱仪(UV-vis)表征Cu2O薄膜物相结构、表面形貌以及光学性能。结果表明:沉积溶液的pH值和热处理均可提高Cu2O薄膜结晶性能,随着pH值的增加Cu2O薄膜的禁带宽度降低,热处理对Cu2O薄膜的禁带宽度影响不大。 相似文献