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研究了在硅双晶基片上制备高临界温度 (Tc) ,YBa2 Cu3 O7(YBCO)直流量子干涉器件 (DC SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si ( 10 0 )双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆 (YSZ)、CeO2 隔离层、YBCO超导薄膜及非超导YBCO钝化层 ,超导薄膜临界温度为 88K。采用激光技术直接成型的硅双晶结符合典型电阻分路结RSJ模型 ,其IcRN 值在 77K下可达到 15 0 μV ,具有Fraunhofer衍射状的Ic(H)特性。所实现的DC -SQUID器件电压 -磁通传输函数达 4.835 938GV/Wb ,白噪声区及 1Hz下的噪声水平达 136 .47816zWb/Hz1/ 2 和 2 99.83839zWb/Hz1/ 2 。 相似文献
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高压合成B-C-N化合物的结构表征 总被引：2，自引：0，他引：2
将三聚氰胺和硼酸的混合物进行高温处理，制备出成分为B0．54C0．28N0．18的B－C－N前驱物，这种前驱物与Ca3B2N4触媒混合后在5．5GPa,1600℃条件下获得平均成分为B0．47C0．23N0．30的化合物，采用X射线衍射和选区电子衍射分析了高压合成产物的晶体结构，发现合成的B－C－N化合物由3种相组成，主晶相为正交相，其余为六方相和立方相，用X射线光电子谱和红外光谱分析了合成产物的价键结构。 相似文献
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用脉冲激光沉积法在斜切(001)SrTiO3单晶基片上生长了c轴取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,在斜切(001)LaAlO3单晶基片上生长了Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜,并用扫描电镜和透射电镜对薄膜组织进行了表征。结果表明,在1°~3°斜切的SrTiO3基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜,呈现台阶流动(stepflow)到三维岛状生长的转变;而6°~15°斜切基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜为完全台阶流动生长。在1.2°斜切的LaAlO3基片上原位制备了良好异质外延生长的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜。在77K,1MHz频率和±30V直流偏压下,测定了其电容-电压特性,确定其介电常数、可调谐性和品质因数分别为1200,60%和133。表明该Ba0.1Sr0.9TiO3薄膜可应用于在液氮温度下工作的可调谐微波器件。 相似文献
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本文介绍了铸铁短纤维结合剂金刚石砂轮的结构特征.采用Si_3N_4和Al_2O_3为磨削对象,研究了铸铁短纤维结合剂金刚石砂轮的磨削特性,并与优质青铜结合剂金刚石砂轮进行了对比。实验结果表明:铸铁短纤维结合剂金刚石砂轮更适于陶瓷类硬脆材料的磨削加工。在磨削Si_3N_4时,不仅磨削效率提高了二倍,而且磨削比提高了五倍。 相似文献
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用脉冲激光蒸发熔融织构靶材在SrTiO3(001)单晶基片上制备了YBa2Cu3O7—δ超导薄膜。用X—射线衍射仪、透射电镜和原子力显微镜分别对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析。结果表明，薄膜呈c轴取向，薄膜中产生了一定数量的颗粒状Y203杂相，且具有择优取向，而靶材中所含的Y2BaCuO8相却没有在薄膜中形成，沉积温度升高，有利于[001]取向的Y2O3的形成，但不利于[111]取向Y2O3的形成，与传统的粉末烧结靶相比，用熔融织构靶制备YBa2Cu3O7—δ薄膜可以明显抑制薄膜表面颗粒的形成。 相似文献
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采用化学法合成了乱层石墨结构B－C－N化合物,在不同温度下进行高温处理后,经X射线衍射（XBD）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨电子显微镜（HREM）和X射线能谱（EDX）对合成产物的结构、晶体学参数、成分等进行分析。结果表明,处理温度对乱层石墨结构B－C－N化合 物的晶化有较大影响。随处理温度增加,B－C－N化合物由乱层石墨结构向多晶体转变。1600℃处理后可以得到纯六方B－C－N多晶固溶体,晶格参数为α= 0.251mm,c=0.666mm。EDX测定出晶化后B－C－N化合物的成分为B0．41C0．09N0．50。 相似文献
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本文阐述了机械振动切削法制造金属短纤维的特点,认为该种方法制造的金属短纤维有些性能优于非属纤维,同时分析了金属短纤维复合材料的现状及其在工业上的应用的前景。 相似文献