用熔融织构靶制备的YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜的微观组织结构

用脉冲激光蒸发熔融织构靶材在SrTiO3(001)单晶基片上制备了YBa2Cu3O7-δ超导薄膜。用X-射线衍射仪、透射电镜和原子力显微镜分别对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析。结果表明,薄膜呈c轴取向,薄膜中产生了一定数量的颗粒状Y2O3杂相,且具有择优取向,而靶材中所含的Y2BaCuO8相却没有在薄膜中形成,沉积温度升高,有利于犤001犦取向的Y2O3的形成,但不利于犤111犦取向Y2O3的形成,与传统的粉末烧结靶相比,用熔融织构靶制备YBa2Cu3O7-δ薄膜可以明显抑制薄膜表面颗粒的形成。     

基于二十面体的新型B12CN和B13CN结构的第一性原理研究(英文)

以二十面体为基元的富硼化合物具有复杂多样的电子和机械性能.在本工作中,我们采用粒子群优化结构预测方法结合第一性原理计算,首次对二十面体基元的三元B₁₂CN和B₁₃CN化合物的晶体结构和性质进行了全面系统的研究.我们搜索得到了B₁₃CN和B₁₂CN化合物的新结构,其空间群均为Cmc21,与α-B的变体结构相比,新结构具有更优异的热力学稳定性. B₁₂CN的热力学稳定性和机械性能均稍逊于B₁₃CN.此外, B含量的微小差异造成了B₁₂CN与B₁₃CN两种三元化合物迥异的电学特性,即B₁₃CN具有半导体特性,而B₁₂CN具有空穴型导电特性.此外,在B₁₂CN与B₁₃CN系列新结构的拉伸过程中,由于二十面体的连续破坏和二十面体之间的连续断键造成的应力再增强、结构多级破坏和类蠕变变形等特殊变形机制也同样被揭示.     

高温超导体R-T曲线虚拟仪器测试系统

本文采用基于Labview的虚拟仪器技术。设计完成了一套高温超导体R-T曲线虚拟仪器测试系统，通过IEEE488总线对电流源和纳伏表的控制．利用超导体在超导态时的零电阻特性，测量超导样品的超导电性．测量精度高，速度快，测试界面直观、友好。     

乱层石墨结构B2CN新材料的合成

采用三聚氰胺与硼酸制备含有H、O的B－C－N前驱物粉末,在氮气保护下进行高温处理去除H和O后得三元B－C－N化合物。X射线衍射（XRD）和X射线光电子谱（XPS）研究了B－C－N化合物的结构和特性。结果表明,前驱物在高温处理过程中产生大量挥发物,当处理温度高于1600℃时,得到成分为B0.54C0.28N0.18的具有乱层石墨结构的纯B－C－N化合物。     

斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生 ,说明薄膜以“台阶流动”方式生长 ;而且薄膜具有c 轴取向 ,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a b孪晶的产生 ,而使晶格错配应变不能释放造成的。     

低温纯Ar气中Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成与性能的影响

研究了高压Ar气氛中750℃低温下Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成及其性能的影响。结果表明采用名义比为Tl1.9Ba2Ca2Cu3Oy的混合物作铊源时．生成的Tl2O分压达到最佳值。在该Tl2O分压下,获得了单相c取向的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜,其Tc值达到108K;高于该分压时,薄膜中出现Tl2Ca3O6、Tl2O3。等杂相,导致膜面粗糙度增大和Tc值下降;低于最佳Tl2O分压．薄膜中生成了Tl2Ba2CaCu2O8和Tl2Ba2Ca2Cu3O10的共生相,导致Tc值下降;而Tl2O分压的进一步降低．则薄膜在铊化中不形成超导相。     

HPHT synthesis and electrical transport properties of SmxCo4Sb12

Samarium-filled skutterudites SmxCo4Sb12(x=0.5,1.0) skutterudite thermoelectric(TE) materials with enhanced power factor were prepared by high-pressure and high-temperature(HPHT) technique.The microstructure properties were characterized with X-ray diffraction and scanning electron microscopy.The electrical resistivities and Seebeck coefficients of those samples were measured in the temperature range of 300-723 K,and the samples of SmxCo4Sb12 showed n-type conduction.The Seebeck coefficient in absolute valu...