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11.
高增益硅超高频功率SIT 总被引:1,自引:0,他引:1
采用全自对准介质盖栅工艺,通过合理设计,研制成功一种高增益硅超高频功率SIT。在400MHz工作频率,50V工作电压下,其输出功率P0为40W,漏极效率η0接近60%,功率增益Gp,高达16dB,P0=25W时,三阶交调3IM为-16dB,P0=2.5W时,3IM为-50dB。 相似文献
12.
采用当前方法对影响半导体激光器物理特性的因素进行分析时,构建的半导体激光器有限元模型精度较低,得到的分析结果与实际不符,存在分析结果准确率低的问题。提出影响半导体激光器物理特性的影响因素分析方法,通过导热微分方程分析了半导体激光器的导热过程,根据分析结果构建半导体激光器的有限元模型,通过有限元模型对半导体激光器的物理特性进行数值模拟,得到了热沉宽度尺寸、热沉长度尺寸、热沉厚度尺寸和半导体激光器热阻之间的关系。实验结果表明,所提方法构建的半导体激光器有限元模型精度高、分析结果准确率高。 相似文献
13.
14.
InGaAs/GaAs量子点红外探测器 总被引:1,自引:2,他引:1
与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。 在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。 相似文献
15.
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程;在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性。分析100μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大。整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大。最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大。 相似文献
16.
动态特征是海洋信息中的重要方面。但是在通常的SAR图像处理中动态信息往往会被丢失,因为这些方法大多把SAR图像看成是观测区域的瞬时状态。实际上,我们可以从SAR子孔径序列图像中获取动态信息,因为我们知道SAR不同方位向孔径对应不同的成像瞬间。从序列图像中获取动态信息的一个关键步骤就是图像匹配。但是SAR子孔径图像的强噪声特性使得传统的图像匹配算法难以奏效。该文中,为了应对SAR子孔径图像中的噪声问题,我们提出了一种改进的相位相关法。仿真实验表明改进的算法在多数情况下都可以达到0.15像素以上的精度以及很好的噪声鲁棒性。分析表明,该方法可以适用于从中等分辨的机载SAR图像和高分辨的星载SAR图像中提取动态特征,速度提取精度可以达到0.15-0.3 m/s。该文将该方法用于一个实际的机载SAR图像的处理,反演的海面动态速度在0.05-0.5 m/s左右,这个速度范围符合海面上一般的流速范围。 相似文献
17.
Aiming at the problem that the lattice feature exceeds the view field of the scanning electron microscope (SEM) measuring system, a new lattice measuring method is proposed based on integral imaging technology. When the system works, the SEM measuring system is equivalent to an integral image acquisition system. Firstly, a lattice measuring method is researched based on integral imaging theory. Secondly, the system parameters are calibrated by the VLSI lattice standard. Finally, the value of the lattice standard to be tested is determined based on the calibration parameters and the lattice measuring algorithm. The experimental results show that, compared with the traditional electron microscope measurement method, the relative error of the measured value of the algorithm is maintained within 0.2%, with the same level of measurement accuracy, but it expands the field of view of the electron microscope measurement system, which is suitable for the measurement of samples under high magnification. 相似文献
19.
在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。 相似文献
20.