反应源温度对ZnO纳米线阵列定向性及发光性能的影响

以Au薄膜为催化剂、ZnO与碳混合粉末为反应源,采用碳热还原法在单晶Si衬底上制备了ZnO纳米线阵列.通过扫描电子显微镜( SEM)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计对样品的表征,研究了反应源温度对ZnO纳米线阵列的定向性和光致发光性能的影响.样品在源温度920℃条件下沿(002)方向择优生长,定向性最好,温度过低不利于ZnO纳米线阵列密集生长,而温度过高导致Zn原子二次蒸发,因而也不利于纳米线阵列的定向和择优生长;样品在源温度880℃有最强的近紫外带边发射,表明温度过高和过低都不利于ZnO晶体结构的优化;由于ZnO纳米线在缺氧氛围下生长,氧空位是缺陷存在的主要形式,因此所有样品都有较强的绿光发射.温度升高导致纳米线生长速度提高而增加了氧空位缺陷数量,从而使样品绿峰强度增强并在源温度920℃时达最大值,但温度的进一步升高可导致ZnO纳米线表面Zn元素的蒸发而降低氧空位缺陷的数量,从而抑制绿峰强度.     

(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 ,室温下发光强度温度猝灭不明显     

钕离子注入单晶硅光致发光的起源

Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在Si-O,Nd O,Si-Si和O O键.发光主要是由于Nd3+的4f内层电子的辐射跃迁所致,同时,离子注入带来的缺陷和损伤也能发光.     

PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响

报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。     

(Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体浓度～1021cm.热氧化SiO)2膜越厚,溅射后SiO2保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较强1.54μm光致发光信号,室温下发光强度温度猝灭不明显.     

梯度功能材料的研究与新动向

介绍了一种新型功能材料一梯度功能材料，并着重介绍了国内外在金属－陶瓷系梯度材料的设计，制备工艺与性能评价方面的研究现状及其发展新动向。     

焊接工艺评定标准的探讨

对比分析了JB4708，GB50236、SY／T4103、SY／T0452四种焊接标准各自的特点及相互差异，综合考虑各种因素。指出锅炉压力容器制造的焊接工艺评定应选用JB4708—2000标准。压力管道安装的焊接工艺评定宜选用JB4708和SY/T0452。     

国内外日用细瓷器外观主要缺陷对比分析

为了做好轻工产品的消费指导和扶优限劣工作,原轻工业部决定加强产品质量监督检验,依靠科学的检测手段,以数据为依据,评价产品质量.由具有科学性、公正性、权威性的国家级产品质量检测中心,根据有关产品安全性能等主要项目进行测试,以检验结果划分产品质量等级.就日用陶瓷行业来说,产品的质量等级共划分以下三个等级:A级 优等(国际先进水平)B级 良好(国内先进水平)C级 一般(国内一般水平)为了使《日用陶瓷饮食器具质量分等规定》中的A级品的实物质量水平接近于国际先进水平,国家日用陶瓷质量检测中心于一九九二年一月在国外市场购进了一批具有国际先进水平的日用陶瓷饮食器具样品,作为制订《日用陶瓷饮食器具质量分等规定》的参考标样,现就其外观质量的主要缺陷检验情况与我国部分大、中型企业的产品作一对比分析.     

离子注入在高分子材料中的应用

本文综述了离子注入在高分子材料中应用的研究。着重介绍离子注入后引起的高分子材料物理、化学特性的交化,如电导率、光学特性以及高分子材料的氧化特性等。并用性能与结构的关系对这些现象进行了解释。     

单晶硅基表面碳纳米管薄膜的制备研究

以乙炔气为反应气体，采用催化裂解方法，在沉积有铁催化剂膜的单晶硅基体上研究碳纳米管薄膜的制备。研究表明，由于催化剂的作用，在硅基体上能够形成直径为50-100nm的碳纳米管；铁催化剂膜的粒径大小和分散状态对碳钠米管薄膜的厚度、管径和均匀性起着关键作用；氢氟酸水溶液处理的催化剂膜有利于铁催化剂颗粒的分散和均匀化，能形成比较好的碳纳米管薄膜。由电镜分析发现，在单晶硅基体上生长的碳纳米管为顶端生长模式。