基于卷积构型的单元平均CFAR目标检测算法

提出一种基于卷积构型的单元平均恒虚警率(convolution based cell averaging constant false alarm rate, CCA-CFAR)快速检测算法.该算法首先根据背景杂波分布模型计算待检测合成孔径雷达(synthetic aperture radar, SAR)图像统计量矩阵, 然后对单元平均恒虚警率(cell averaging constant false alarm rate, CA-CFAR)检测器构建卷积模型, 利用卷积运算实现对背景杂波的矩估计, 并求出详细的背景杂波分布函数, 最后根据分布函数计算出每个像素的判定阈值, 并对所有待检测像素是否为目标点进行判定.该检测算法复杂度低, 运算效率高, 能够快速实现SAR图像实时目标检测.仿真实验证明了该方法的有效性和工程实用价值.     

热电偶的选择与维护

该文按照国际通用标准，对不同分度号的各种常用热电偶，从材质构成，适用环境到适用温度范围进行了较为详细地介绍；论述了在选用热电偶时需要考虑的系统要求、使用的环境条件、工程设计中必须考虑的因素、投资费用等；并对热电偶的护套形式、安装注意事项及其维护和检修进行了介绍。     

高体积分数SiC／Cu复合材料的研究进展

高体积分数SiC/Cu复合材料具有热导率高、热膨胀系数低、耐磨性优异及可焊性好等优点,在电子封装及摩擦磨损领域有很大的应用潜力.本文综合评述了SiC/Cu复合材料的制备技术,详细阐述了SiC-Cu的润湿性、界面反应及活性润湿的机理,指出了SiC/Cu复合材料的发展方向和应用前景.     

La2O3掺杂纳米W粉致密化行为与性能

采用溶液燃烧合成法制备了La₂O₃掺杂纳米钨（W）粉,分析了La₂O₃掺杂纳米W粉的致密化行为及La₂O₃对纳米W粉致密化行为的影响,研究了烧结后合金的显微组织形貌、导热性能及显微硬度。结果表明,La₂O₃会显著抑制纳米W粉的致密化速度,纯W粉在1350 ℃烧结后的相对密度可达到96.2%,而La₂O₃掺杂纳米W粉在1500 ℃烧结后的相对密度仅为95.0%。在1500 ℃烧结后的La₂O₃掺杂W合金的晶粒尺寸为0.57 μm,比纯W粉烧结合金的晶粒尺寸小一个数量级,因此其导热性能也较纯W粉烧结合金有所降低,但是显微硬度得到显著提升。     

热等静压及后续热处理对MIM418涡轮合金组织与性能的影响

比较了热等静压前后MIM418合金组织与致密度的变化,研究了不同淬火(水冷和空冷)、时效工艺对热等静压后固溶态MIM418合金微观组织及各种析出相的影响,利用扫描电镜、透射电镜、能谱分析等手段分析了合金中主要强化相γ'和碳化物二者的形态、大小和分布的规律。结果表明,热等静压可明显提高MIM418合金的致密度,但对显微组织影响不大,"固溶+中温时效"可以获得较好的硬化效果,主要析出强化相γ'和二次碳化物的析出受固溶冷却方式的影响较大,γ'相纳米化和二次碳化物的析出或将有益于MIM418硬度的大幅度提高。     

无碱玻璃熔体电阻率的测算拟合

通过建立玻璃熔体电阻率测试方法,并运用线性计算与成分影响因数,拟合出无碱玻璃熔体电阻率ρ与温度T、各成分组成质量分数ω_i关系的两大快速计算公式：玻璃纤维典型E配方玻璃高温电阻率■,其中lgρ和1/T的线性拟合度R²=0.9971;CaO-B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃无碱玻璃在1500℃时的熔体电阻率■,偏差在±3.50%以内。     

气流磨处理对烧结钨粉微观组织和力学性能的影响

采用气流磨分级技术对商业钨粉进行改性,研究气流磨处理和不同粒度搭配对钨粉粉末烧结体微观组织和力学性能的影响.结果表明,经气流磨分级处理后,粒度分布较窄的钨粉能实现良好的堆积均匀性,消除团聚体在烧结过程中形成的不规则粗孔,提升粉末烧结均匀性,提高烧结后期整体相对密度;烧结相对密度由90.7％提高至92.8％,抗弯强度由2...     

铝线材喷涂工艺及涂层性能

在钢基体上分别采用电弧线材喷涂和火焰线材喷涂两种工艺制备铝涂层，并对两种涂层的硬度、孔隙率、结合强度、耐蚀性能和磨损性能及机理进行了试验研究和对比分析。     

铁基烧结合金表面处理技术的研究进展

粉末冶金铁基烧结合金在工业中的应用已越来越广泛，但由于孔隙的存在，耐磨性、耐蚀性和抗疲劳性均有待改善。目前，旨在提高粉末冶金铁基烧结合金综合性能的方法很多，该文综合介绍了其中几种比较典型的粉末冶金铁基合金表面处理工艺，包括渗碳、离子氮化，气体碳氮共渗、水蒸气处理、电镀、镀锌、电沉积，激光处理等，阐述了各自的原理及其优缺点，探讨了表面处理技术的应用和发展方向。最后结论为表面处理技术有利于提高铁基烧结合金的整体性能、拓宽其应用领域和降低其制备技术，而主要研究方向仍在于妥善解决由孔隙带来的问题。