2013/2014宁波市纺织服装产业分析

正一、回眸2013(一)运行总体平稳2013年,宁波市934家规模以上纺织服装工业企业完成工业总产值1168.7亿元,同比增长0.2%;完成销售产值1152.1亿元,同比增长0.6%;出口交货值411.5亿元,同比下降1.9%;实现利税总额84.2亿元,同比增长7.3%,其中利润55.9亿元,同比增长5.8%;资产规模1169.1亿元,同比增长2.1%;从业人员24.4万人,同比减少了3.8%。宁波规模以上纺织服装工业占全市规模以上工业的比重:工业总     

包装废EVA复合改性沥青的研究

以回收的包装废弃聚合物——西服包装袋(主要成分EVA)代替普通聚合物改性剂,通过添加废胶粉对普通道路沥青进行复合改性。结果表明,改性后,沥青的软化点、5℃延度提高,针入度降低,也就是说,复合改性提高了沥青的综合性能。FT-IR分析表明改性过程属于物理共混。通过改性沥青的微观结构分析,对复合改性沥青的高、低温性能进行了研究,表明复合改性剂形成的空间网络结构及其引发的应力剪切作用是产生改性效果的主要原因。     

胺交联的磺化聚芳醚砜酮荷电膜的制备及微观结构

采用乙二胺(EDA),己二胺(HDA)和对苯二胺(PPD)为交联剂,与磺化杂萘联苯聚芳醚砜酮(SPPESK)反应生成磺酰胺交联键,制备胺交联的磺化杂萘联苯聚芳醚砜酮荷电膜.通过元素分析确定交联程度.采用示差扫描量热,扫描电镜以及应力-应变测试等方法研究交联膜的微观结构.实验结果表明,交联剂的种类、用量以及SPPESK的初始磺化度显著影响体系的相容性,交联剂用量过高会导致交联膜发生微观相分离,影响交联膜的性能.胺交联法制备荷电膜时交联度不宜过高.     

电加工机床行业的春天——1988年“中国机床工具博览会”电加工机床展品述评

三月的北京,春意盎然。机床工具博览会的召开,似百花吐艳,迎来了电加工机床行业的春天。一、发展中的电加工机床行业电加工机床行业是一个较年青的行业,经过20多年的发展,已形成了一个以生产电火花线切割机和电火花成型机为主的,以模具加工为主要服务对象的生机勃勃的行业。全国目前有专业和兼业生产制造厂40余家,1986年生产电火花线切割机2400余台,生产电火花成型机600余台,产值近1亿元。产品产量和产值的增长率近几年一直保持在10％     

稀土硅镁铁合金研制成功

稀土硅镁铁合金是由严格定量的稀土、硅、镁和普通碳钢经高温冶炼而成。烯土硅镁铁合金作为一种添加剂、球化剂、精炼剂加入钢铁和有色金属中,与其中的硫、氧、氮等元素具有很强的亲合能力,能与有害元素形成熔点很高的化合物质点。其主要功能是细化了金属的铸造组织,改变了钢铁和有色金属中非金属杂质的形状、大小、分布形状和数量等,减少了非金属杂物对金属性能的有害影响,从而极大地提高了金属材料的机械性能、耐磨性能、低温韧性及高温耐热性能等。这种合金材料可广泛用于发动机、汽车、拖拉机、农业机械、各种常规武器以及船舶等机…     

输电线路施工的安全管理

输电线路施工是建筑安装行业中比较特殊的一项工作,其本身并没有很高的技术要求,但涉及的范围广泛,外部制约因素多,具有高度的分散性和不可预见性,只有在同时具备"天时、地利、人和"的情况下才能顺利施工。所以,输电线路施工的安全管理比变电站、火电厂内的电气安装难度更大,更具有其独特的要求和特点。     

CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm;在工作电压为3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×105Rad(Si),能较好地满足军用和航天领域的要求.     

fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。