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随着超大规模CMOS模拟集成电路工艺技术进入纳米阶段,模拟集成电路面临着日益严峻的可靠性挑战,可靠性仿真设计技术已经成为提升电路固有可靠性的重要途径.对现有的模拟集成电路可靠性仿真设计的文献资料进行了总结,探讨了集成电路可靠性仿真分析的高效方法,这些方法能够帮助电路设计师对电路进行分析,并找出其中的薄弱环节.介绍了典型的更具适应性和自愈能力的模拟集成电路设计技术. 相似文献
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Using positive surface charge instead of traditional γ-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-channel VDMOS terminal has been analyzed. A novel terminal structure for improving the total dose irradiation hardened of P-channel VDMOS has been proposed, and the structure is simulated and demonstrated with a -150 V P-channel VDMOS. The results show that the peak current density is reduced from 5.51 × 10^3 A/cm^2 to 2.01 × 10^3 A/cm^2, and the changed value of the breakdown voltage is 2.5 V at 500 krad(Si). Especially, using 60Co and X-ray to validate the results, which strictly match with the simulated values, there is not any added mask or process to fabricate the novel structure, of which the process is compatible with common P-channel VDMOS processes. The novel terminal structure can be widely used in total irradiation hardened P-channel VDMOS design and fabrication, which holds a great potential application in the space irradiation environment. 相似文献
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利用Pro/E与ANSYS联合仿真,对不同材料、 丝径、 键合形式和跨度的键合丝的振动应力极限进行了分析研究.基于键合工艺及其特点在Pro/E中建立了键合丝参数化三维模型,并利用ANSYS对参数化模型进行了模态及随机振动仿真分析,获得了球键合金丝与楔键合硅铝丝在不同丝径、 跨度等条件下的极限功率谱密度,研究结果可为键合丝的选型提供参考. 相似文献