基于模块化风冷换流阀的中压直流输电系统

为探索中国国内中压直流输电(MVDC)市场的未来,文中通过已经建成的德国亚琛大学的10 kV直流配电工程案例,重点介绍了中国西电集团完全自主化制造、具有全部自主知识产权的一个中压直流输电系统。该系统采用了完全自主化设计的模块化风冷光触发晶闸管(LTT)换流阀、箔绕干式换流变压器及完全数字化接口的控制保护系统。整个系统紧凑简洁、可靠性高、便于维护,已经具备了进行示范工程应用的条件。此外,还对中压直流输电的技术经济性进行了初步分析,结果说明针对交流配网增容受限的城市负荷中心、远距离电缆输电区域、具有分布电源或大容量直流负载的负荷区域以及中压直流输电都具有相当的竞争力。     

热刺激电流测量装置及其用于介质阻挡均匀放电的研究

大气压氮气和空气介质阻挡均匀放电属于Townsend放电,并且以一种反常的方式熄灭,即放电在气隙电压上升过程中熄灭。为了实验研究阻挡介质材料表面"浅位阱"(能级1 e V)对大气压均匀放电的影响,探究"反常熄灭"现象的机理,研制了一套热刺激电流测量装置,可施加最高25 kV直流电压,电流测量精度达0.1 p A,具有良好的抗干扰能力和重复性。测量陶瓷和石英玻璃的热刺激电流曲线,发现2种材料表面均存在一定数量的"浅位阱"。陶瓷浅位阱能级0.37 e V,石英玻璃为0.63 e V,陶瓷浅位阱能级更低,更易被轰击成为种子电子;陶瓷陷阱电荷量315.3 n C,石英玻璃为20.7 n C,陶瓷表面浅位阱数量远远多于石英玻璃。这与陶瓷材料能够实现大气压均匀介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)但石英玻璃只是细丝放电的实验现象一致。证实材料表面浅位阱能够为放电提供种子电子,且数量越多越有利于实现大气压均匀DBD。     

对建筑装饰工程施工造价管理的思考

结合笔者多年对建筑装饰工程造价管理的实践，详细分析阐述了装饰工程的独特性，并对建筑装饰工程预算费用进行了分析，以及对现阶段装饰造价中存在不合理的因素进行了阐述。在此基础上，对如何防范及解决这些问题进行了深入的探讨和总结。     

微机保护平台研究

从分析微机保护研制的现状出发，提出微机保护在研制中难以及时跟踪IT技术最新发展的问题，并探讨了平台化设计的解决方法。文中给出了一个平台化设计的方案，并针对外设总线、工程应用界面、数据结构及其服务展开了讨论，提出了采用IEEE 1394，IEC 61850，IEC 61131来进行平台化设计的建议。     

6061铝合金预拉伸板残余应力测量与分析

采用钻孔法对经不同拉伸量的60mm厚6061铝合金预拉伸板进行残余应力的测量,分析其现存残余应力大小与拉伸量的匹配关系.结果表明:对于60mm厚的6061预拉伸板经拉伸率1.9％左右的预拉伸后,其残余应力较低.     

220 kV变电站的CSC2000综合自动化系统

以220 kV新塘变电站为实例,分别从保护、当地监控、远动主站、工程师站及录波系统、网 络构架、系统性能6个方面介绍了改进的CSC2000综合自动化系统，进一步强调了综合自动 化系统中设备按照间隔分布、保护功能相对独立的设计思想，以及该系统模块化的网络结构 和网络通信特点。     

大气压氖气介质阻挡放电研究

为了加深对大气压氖气介质阻挡放电特性的认识,使用电特性测量、高速摄影的手段研究了平板结构大气压氖气介质阻挡放电的击穿电压、放电模式及其演化过程等。实验结果表明,在2～8mm大气压氖气中可很容易地实现均匀放电,并且其放电模式为辉光放电。相比同样条件下的氦气放电,氖气放电的电流密度略小、电流脉冲的半高宽较大。同时测量并比较...     

GaAsMESFET中的分布效应

<正> 一、引言功率放大器最好采用宽栅 FET。然而,栅宽方向上电场的非均匀性限制了栅的宽度。在这个条件下,MESFET 可视为一个分布器件,即为一个有源传输线,其中源-栅-漏线路联接如图1所示。比较 MESFET(栅宽度窄)的分立和集总模型看出,由于射频电阻引起的损耗以及驻波引起的失配损耗,宽栅分布模型将引入额外的传导损耗,这两者是传输线的特性。FuKuta 等采用粗糙模型曾研究过这个问题,其中仅考虑无源元件而忽略了器件的跨导。Kohn 和 Landauer 在考虑分布器件效应时研究过这个问题,但忽略了耦合线电,这些     

场效应晶体管与模拟晶体管(静电感应晶体管)

业已指出,普通场效应晶体管之所以表现出饱和特性,其原因是:随着漏电压的增加,在接近夹断电压时由于沟道串联电阻显著增大而提高了负反馈效应,此时表观跨导G′_m=G_m/(1 r_s·G_m)变为G′_m(?)r_s~(-1)。还指出,1950年Watonabe(渡边)和Nishizawa(西泽)发表的模拟真空型晶体管只有在内部负反馈作用小到G′_m(?)G_m时才呈现出不饱和的“立起的”特性。在这种情况下,当沟道尚未夹断时,特性是欧姆型的,晶体管可以作为一个良好的可变电阻;而当沟道已经夹断时,由于漏的静电感应,器件呈现出类似于真空三极管的“立起的”特性。因为这种晶体管的输出特性和输入特性一样,是以静电感应为基础的,它和真空三极管相类似,被称为“静电感应晶体管”。与肖克莱预言的“模拟晶体管”遵循空间电荷导电规律恰好相反,静电感应晶体管具有指数特性。业已确认,这种静电感应晶体管具有低噪声、低失真和大功率能力,并且已经作出大功率晶体管(8兆赫,2千瓦),高频晶体管(超高频几瓦)以及高速可变电阻器,正在制作微波晶体管、超高速集成电路以及可变电阻器。     

考虑电子速度饱和区的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的设计理论

基于己考虑速度饱和区这一新的分析模型分析了砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的工作,弄清了器件材料参数和几何参数以及等效电路参数与超高频特性的关系,明确了 GaAsFET 的最佳设计方法。进而定量地说明了通过减小栅金属阻抗、电极阻抗等寄生元件后微波性能的改善情况。另外,还能连续地掌握微波性能与偏压之间的相互关系。其次,测量了试制的栅长为1微米的 GaAsFET 的微波特性及其与偏压的关系,并将实测结果与分析结果进行了比较。试制的 GaAsFET 的最高振荡频率 f_(max),截止频率 f_T 分别为40千兆赫、8.5千兆赫。然而若减小栅压点电容和栅金属阻抗,则估计可获得的 f_(max)在50千兆赫以上,f_T 在10千兆赫以上。再有,由分析结果预计,若用理想的n-GaAs 薄层,栅长1微米的 GaAsFET 就能够得到 f_T 为16千兆赫,f_(max)为65千兆赫,在10千兆赫下最低噪声系数为2.5分贝。