基于双dq变换正负序提取及锁相环的FPGA实现

对于并网型电能质量治理设备,如有源电力滤波器(APF),为了实现对电能质量的检测与治理功能,需要对三相电压基波的正负序进行快速准确提取。当电网电压发生不对称、畸变等情况时,能否快速准确获得基波电压的频率和相位信息将会大大影响电能质量治理设备运行性能。文中依据同步旋转坐标变换理论,采用双dq变换方法,通过低通滤波器(LPF)处理,实现对基波电压的正负序提取,在此基础上引入负反馈控制理论实现锁相环功能。依据此理论使用FPGA实现基波电压正负序提取及锁相环功能,经测试表明文中所设计的系统能够在三相电压出现不对称、畸变等情况时,快速准确实现基波电压正负序提取、以及基波频率和相位的锁定,能够满足有源电力滤波器对于电压频率、相位实时检测与设备控制保护的使用需求。     

7050铝合金H型截面构件淬火过程仿真模拟研究

采用有限元数值模拟研究7050铝合金H型截面构件淬火过程残余应力大小、分布及规律。研究结果表明:构件截面淬火后残余应力的分布情况为:表层受拉应力,芯部受压应力。构件截面在X方向上的淬火残余应力主要集中在过渡圆角区域、筋顶以及腹板区域。其中构件截面过渡圆角区表面出现最大压应力,为-114MPa;过渡圆角芯部区域出现最大拉应力,为68 MPa。构件截面在Y方向上的淬火残余应力主要出现在过渡圆角区表面、筋外壁及筋芯部位置。其中最大压应力和最大拉应力也分别出现在过渡圆角区表面及芯部,分别为-114 MPa和79 MPa。     

丝网电极放电对涤纶纤维表面改性的效果分析

为了在介质阻挡放电进行等离子体表面改性处理时得到好的处理效果,实验研究了工频电压下大气压空气中丝网电极介质阻挡放电的放电特性及其对涤纶纤维表面改性的效果。实验中采用结构为电极-丝网-薄膜的丝网电极,在大气中产生均匀放电,研究其放电图像和电气特性及对涤纶布的表面改性效果(可以显著地提高织物的吸水性能)。通过对涤纶布吸水性衰退效应的研究表明,经大气压空气等离子体处理后的涤棉吸水性经一段时间的下降后趋于稳定,与普通电极相比,效果好而且节能,适宜于在纺织前处理中的应用。     

多端柔性直流输电工程控保系统接口设计

介绍了柔性直流输电系统控制和保护系统分层结构,对南澳多端柔性直流输电工程青澳站控制保护系统分层结构和控制保护系统通信接口方案进行了描述。通过对青澳站的无功功率阶跃和稳态时直流侧总谐波进行分析,证明换流器级控制到换流阀级控制接口特性、换流阀级控制到换流阀接口特性均满足系统要求。该方案设计简单可靠、实用易行,已经在南澳柔性直流输电工程中得到了成功应用,很好地满足了柔性直流工程控制保护系统快速性和可靠性的要求。     

双级固溶工艺对7050-T7451超厚板显微组织的影响

研究了双级固溶工艺对于大规格7050-T7451热轧板(160mm)的不同厚度处显微组织的影响。结果表明,双级固溶下,热轧板中粗大相大量回溶。第一级固溶温度从450℃升高到470℃,合金中粗大S相含量影响不大。第二级固溶温度越高,S相含量越低,再结晶分数越高。第二级固溶温度相对保温时间对显微组织的再结晶分数影响更大。厚板经过固溶后不同厚度(H)处显微组织具有一定差异性。不同双级固溶工艺下,厚板表面和H/2处粗大S相完全固溶,但H/2处再结晶分数高于表面和H/4处。     

基于VME总线的柔性直流输电系统阀控系统设计

为实现对基于MMC拓扑结构的高电压大容量柔性HVDC换流器的有效控制和监视,设计了一种采用基于VME总线的主从式系统架构的柔性直流输电用阀控系统。该系统选用MVME6100作为VME主处理器,外部使用SPARTAN-6和VIRTEX-6系列高性能FPGA板卡作为VME从处理单元,FPGA板底层实现了VME从板协议、Aurora和IEC60044-8通信协议。该系统采用VxWorks硬实时操作系统开发应用程序,并实现了最近电平逼近调制算法和环流抑制功能,可实现对换流器中上千个功率模块进行百微秒级周期的实时控制和监视。经过RT-LAB仿真试验验证,系统满足200电平系统的数据传输速率需求和控制规范要求。     

GaAs MESFET特性的计算机模拟

为了定量地分析GaAsMESFET的物理参数和几何参数对其电性能的影响,本论文计算了GaAsMESFET的直流Ⅰ-ⅴ特性、等效电路参数及高频性能。本论文从GaAs电子速度-电场的两段线性近似出发,考虑了栅下耗尽层向漏端及源端的延伸,通过编制计算机程序求解GaAsMESFET的沟道电流-电压方程,得到了器件等效电路参数和高频参数与器件几何参数和材料参数以及偏压的关系。作为实例,本文计算了栅长1μm左右、栅宽1.2mm的GaAs功率器件DX52的直流Ⅰ-Ⅴ特性和高频性能,与测试结果符合较好,这些计算方法能够用来作为器件设计的依据。     

用差分离子掺杂技术制作串接式结型场效应晶体管

用通常 MOS 或者 D-MOS(双扩散 MOS)制造的串接式结构的场效应晶体管已在国内外各公司进入实用阶段,然而,串接式结型场效应晶体管尽管很早就提出来了,但花了很长时间才得以实现。其最大理由之一可能是因为串接式结型场效应晶体管制造条件超越当时半导体制造技术能力。然而,由于近年来外延技术、选择扩散技术以及光刻技术的进展,终于在国内一些公司开始实用。我们之所以着眼于串接式结型场效应晶体管,是因为它不同于以前的单栅结型场效