基于蓝宝石纳米图形衬底上氮化镓生长的研究

利用两步生长法在蓝宝石纳米图形衬底（NPSS）上生长得到高质量的氮化镓薄膜。通过XRD和SEM对薄膜质量的表征和研究发现,为得到高质量的氮化镓（GaN）薄膜,在NPSS上生长时得到的最优缓冲层厚度为15nm,而在微米级尺寸的图形衬底（MPSS）上得到的最优缓冲层厚度远大于15nm。同时,在NPSS上生长氮化镓薄膜的过程中观察到一个有趣的现象,即GaN在NPSS上生长的初始阶段,氮化镓晶粒主要在图形之间的平面区域生长,极少量的GaN在衬底图形的侧面上聚集生长。这一有趣的现象明显不同于GaN在MPSS上的生长过程。接着,又在NPSS上生长了GaN基LED结构,并对其光电性能进行了研究。     

无线局域网安全协议研究

阐述了无线局域网中的有线等效加密（WEP,Wired Equivalent Privacy）和无线局域网安全存取（WPA,Wi-Fi Protected Access）两种主要的安全加密协议,研究了其加密算法的加密原理和加密流程,指出了加密机制的理论缺陷,并通过注入式抓包破解WEP加密仿真实验和字典暴力,破解WPA密匙仿真实验验证并对比了WEP和WPA加密算法的缺陷,仿真证明了WEP加密是不安全的加密方式,不再符合当前无线局域网的安全要求,因为WPA加密机制破解难度较大所以符合安全要求,但仍具风险并需要改进,最后提出了针对协议安全性的改进。     

VO2/Al2O3复合膜系制备及其相变特性

钒的氧化物具有对温度敏感的半导体-金属可逆相变特性.在多种钒氧化合物中,VO2的相变温度点约为68℃,适用于很多应用领域.VO2长期暴露在空气中时,会被氧化.研究了通过制备VO2/Al2O3复合膜系来保持氧化钒薄膜的稳定性的方法.采用TFCalc薄膜设计软件,设计了VO2/Al2O3复合膜系.依据材料的折射率和消光系数,优化了膜系各膜层的厚度,分析了复合膜系的相变特性.采用磁控溅射方式制备了氧化钒薄膜,再通过氧氩混合气氛热处理得到VO2占主要成分的氧化钒薄膜.在氧化钒薄膜上采用射频磁控溅射方法封装了120 nm厚的Al2O3膜.利用分光光度计测量分析了膜系的相变特性,Al2O3膜对VO2膜的相变性能影响很小.Al2O3膜适于VO2薄膜的封装.     

烯烃裂解反应器特殊再生隔离阀的设计探讨

烯烃裂解反应器特殊再生隔离阀的使用工况具有高温、高频顺控操作且密封等级要求严格的特点,结合实际应用工况,分析探讨了特殊再生隔离阀的阀门结构型式、阀体材质、端部连接、安装测试及特殊隔离密封设计等内容,着重介绍了再生隔离阀阀腔、入口隔离阀阀板上游侧、出口隔离阀阀板下游侧防内漏特殊密封设计,对相关隔离阀设计选型有一定指导意义。     

建立安全健康环境管理体系确保油田安全生产

大庆石油作业所处环境极为特殊,石油生产方式也不同于其他科技产品,随着社会的发展及科技的进步,石油的生产周期大幅度缩短。在油田安全生产中,建立安全健康环境管理体系是确保油田安全生产的基础。中国石油企业要在新的市场环境下立于不败之地,必须积极完善安全健康环境管理体系,明确油田安全生产责任制,提高石油企业的竞争力和经济效益。本文将简述如何建立安全健康环境管理体系,确保油田安全生产,并提出个人建议。     

相控下的储层综合评价——以枣园油田孔二段为例

枣园油田孔二段地层包括四个油组,其中Ⅱ、Ⅳ油组为储层发育油组,I、Ⅲ油组则发育泥岩、油页岩等。本文对主力储层进行细分沉积微相研究,将其划分为两个沉积体系,5种沉积微相;在此基础上运用多个综合指标,结合生产动态资料对枣园油田孔二段油藏划分为中~低产油藏。     

河口采油厂高含硫化氢原油生产技术

为了做好含硫化氢井的生产、安全防护工作,胜利油田河口采油厂从硫化氢的检测、油井管柱防腐技术、脱硫开采工艺等多方面开展研究。现场利用醋酸铅检测法测定天然气中硫化氢含量,安装了监测报警设备。优选出了油井管柱防腐技术,形成了单井油气开采、油气分离、天然气脱硫外输销售的安全防护集成技术,取得的经济效益及社会效益显著。     

孤岛油田含聚污水处理技术进展

针对孤岛油田外输污水合油量高、污水处理难度大的问题，相继开发研究了一些新型破乳剂、污水处理荆，在一定时期内取得了较好的现场处理效果，但随着水质的变化，这些产品已逐渐不能适应处理要求。本文着重时近年来采取的措施进行了总结。并对今后的污水处理工作提出了建议。     

沧州大化大氮肥装置系统节能改造

本文介绍了沧州大化引进合成氨装置进行的节能改造。通过系统节能改造，使合成氨能耗降到设计值以下，取得了很好的节能效果。     

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。