石墨资源开发利用现状及对策建议

石墨是具有稀缺性、战略性和风险性的一种重要伴生金属资源,在冶金、电子、航空、军工等领域有诸多重要应用。我国是世界石墨生产的主要国家,矿产主要分布在黑龙江、内蒙古等地区。目前我国石墨资源开发利用面临低价出口资源、高价进口加工产品的状况。针对以上情况,对我国的石墨资源开发提出以下建议：整合石墨相关企业,加强对石墨资源保护。     

导电剂对氧化钌基超级电容器电极材料性能的影响

采用液相共沉积法合成了RuO2/AC复合电极材料,用扫描电镜对不同导电剂材料的形貌进行表征,进而通过循环伏安法、恒流充放电、交流阻抗谱研究了不同导电剂对RuO2/AC复合电极材料超级电容器性能的影响。结果表明,在38%(质量分数)的H2SO4溶液中,电流密度为2 m A/cm2,以CNTs、AB、KS6、Super PLi为导电剂时比容量和ESR分别为689,556,574和512 F/g,0.19,0.36,0.32和0.41Ω。     

LTCC技术的现状和发展

LTCC是实现电子设备小型化、集成化的主流技术,介绍了近年LTCC技术在元件、功能器件、封装基板和集成模块方面的应用,特别是在微波、毫米波和MEMS的应用实例。指出了我国在该领域的优势和弱点,并提出了未来的努力方向。     

1—5月乌克兰Stakhanov铁合金产量同比下降63．5％

2009年1—5月，乌克兰Stakhanov铁合金厂产量累计3．85万吨，较去年同期的10．55万吨下降63．5％。其中，硅铁产量为2．94万吨，硅锰为9100吨。由于需求疲软，2009年该厂停产锰铁，去年前5个月的锰铁产量为1．17万吨。     

2009年铅市场回顾及后市展望

一、2009年宏观经济环境分析 2009年是全球经济惊心动魄的一年，美国金融危机继续蔓延并席卷全球，各主要经济体均遭不同程度的冲击。为避免经济继续衰退并能尽早走出泥潭，各主要经济体纷纷出台了一系列宽松的货币政策和积极的财政政策。在大规模刺激政策的影响下，全球经济2009年下半年呈缓慢复苏迹象并有望在2010年继续持续。     

热界面材料及其应用

热界面材料（Thermal Interface Materials）是一种普遍用于IC封装和电子散热的材料，主要用于填补两种材料接合或接触时产生的微空隙及表面凹凸不平的孔洞，减少热传递的阻抗，提高散热性。近年来，随着IC晶片的发热量及热流量越来越高，如何有效降低晶片到基板或到散热装置的热阻抗变得相当关键。因此，热界面材料在电子散热方面所扮演的角色越来越显得重要。在特定产品的热管理设计程序的元件整合部分中，最关键的步骤就是选择最合适的热界面材料。本文主要介绍热界面材料的重要性、分类、特性及影响材料性质的一些重要参数，以及选择热界面材料时应注意的事项。     

铅价仍有下跌空间

本周(5月19日-23日),伦铅出现了较大幅度的下跌,曾一度跌破2000美元/吨这一关键心理位,收盘价已为近一年来的最低位。笔者认为导致本周伦铅下跌     

卷绕式活性炭纤维布超级电容器的研究

以活性炭纤维布（activated carbon fibre cloth,ACFC）为电极材料,以1mol/L的Et4NBF4/PC为电解液,制备卷绕式ACFC超级电容器。利用BET测试ACFC的孔隙性,利用恒流充放电测试和漏电流测试对ACFC超级电容器的性能进行表征。结果表明,基于ACFC的超级电容器达到80F/g的比容,能量密度达到20.2Wh/kg,功率特性好、漏电流小,具有很好的产业化前景。     

无铅焊料的电迁移效应

电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。本文阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物（IMC）的生成与溶解,以及焊点下的金属化层（UBM）的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间（MTTF）,从而带来可靠性问题。     

无源元件内埋置的技术趋势

分离无源元件走向集成化是无源元件技术发展方向之一。内埋置无源元件是实现无源元件集成化的主流技术选择,是实现SIP、3D-MCM和三维集成电路的重要技术基础。在芯片硅基板上也能实现无源元件的埋入与集成。有机树脂基板内埋置无源元件技术是重要发展方向,并已逐渐走向成熟。