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981.
针对点云配准中效率低、误差大、抗噪性弱等问题,提出了一种改进的基于t检验的迭代最近点(T-ICP)算法。在初始配准阶段,采用统计分析对源点云和目标点云中的离群点进行标记并提取非离群点,然后采用主成分分析法(PCA)计算非离群源点云和非离群目标点云之间的变换矩阵,并将变换矩阵应用于源点云。在精配准阶段,以迭代最近点(ICP)算法作为基本框架,通过对候选点对的邻域距离分布进行t检验来剔除错误点对,并采用均匀分布策略来搜索点对,保证点云的完整形态配准。实验结果表明,相较于迭代最近点算法以及近两年一些改进的配准算法,该算法在效率和精度上分别提高了10%~50%和4%~40%,并具有较好的鲁棒性。 相似文献
982.
983.
针对水基瓜胶压裂液残渣大引起的伤害, 在以往研究的基础上,提出一种将水基压裂和解堵工艺二合一的水基压裂新技术。该技术是将解堵剂HRS 预先和压裂原胶液混合,压裂施工时将非酸性固体增效剂HD-1 和支撑剂一起注入油井,将以前压裂后被动式解堵改变为主动防治,最终达到减少伤害,提高压裂效果的目的。研究表明:在原胶液中加0.2%HRS 不会影响原胶液的黏度,而且较单程的压裂作业,使破胶液中残渣下降了46%,支撑剂导流能力伤害率降低了近55%,岩心伤害降低了40%。现场试验表明,新工艺现场施工简单,压裂后关井4 h,平均月增原油是老工艺的3 倍,应用效果显著。 相似文献
984.
985.
分析了舰载雷达PPI显示需求,并在传统解决方案的基础上,结合当今IT技术发展现状,提出了使用通用软、硬件平台来解决舰载雷达聊显示的新途径,进而对这种新方案的可行性作了论证测试。 相似文献
986.
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE=22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE=33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A. 相似文献
987.
988.
用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60 相似文献
989.
本文用~3H-QNB作特异结合配基,用简单灵敏的放射配体法测定鼠心肌M受体。经28000×g低温离心制备膜制剂,在2ml Na-K磷酸缓冲液(pH7.4)中含0.8mg膜蛋白,不同浓度~3H-QNB 37℃温育半小时,用国产79型滤膜分离结合与游离部份,用0.01μM QNB作测非特异结合用。对四批ICR纯种小鼠测得的K_D值为0.0918±0.0136nM。实验中用~3H-QNB测得结合曲线,用Scatchard、Hill及双倒数作图法求得K_D和B_~(max)值,还测定了非标记QNB取代50%时剂量、~5H-QNB的结合速度常数与解离速度常数及其t_(1/2)等参数。 相似文献
990.