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91.
采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15min。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的结构进行了分析,结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构,且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响;采用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了测试,发现纳米线表面光滑,长度可达几十微米,表明采用氧化物缓冲层制备了高质量的GaN线。同时对GaN纳米线的生长机理进行了简单讨论。 相似文献
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An optical transceiver with a novel optical subassembly structure is proposed in this paper, which achieves high coupling efficiency and low assembly difficulty. The proposed optical transceiver consumes 0.9 W power and retains a small size of 28 mm×16 mm×3 mm. The fabrication process of the silicon substrate and the assembly process of the optical transceiver are demonstrated in details. Moreover, the optical transceiver is measured in order to verify its transmission performance. The clear eye diagrams and the low bit error rate (BER) less than 10-13 at 10 Gbit/s per channel show good transmission characteristics of the designed optical transceiver. 相似文献
93.
94.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
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96.
滑县造纸厂1575长网造纸机主要生产铜版原纸,电脑打印原纸,双胶纸,静电复印纸等,在1988—1991年期间由于网部经常产生顶浆现象和跳浆问题,只能用40%长纤维漂白木浆和60%的漂白麦草浆,勉强生产铜版原纸。网部顶浆现象的出现,使顶浆部位铜网经线及纬线磨损加快,7—8天就将铜网磨漏,被迫下机,使用寿命很短,吨纸铜网消耗高,换网勤,工人劳动强度大。此外,网上跳浆问题也时有发生,常造成网上的浆层出现不规则分布与大小不一的气泡。 相似文献
97.
叠层压敏电阻器的近期研制动向 总被引:2,自引:0,他引:2
从构成叠层压敏电阻器的生片材料(材料晶粒大小、生片厚度)、内电极材料、叠层结构和表面处理等方面,介绍叠层压敏电阻器的近期研制动向。 相似文献
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99.
100.