正电子湮没数据处理方法的改进

将最新的基于Ｌａｐｌａｃｅ变换的大型正电子寿命无约束解谱程序ＣＯＮＴＩＮ，在保持运算精度和运算速度的条件下，成功地移植于个人微机，移植后的程序能在微机保护模式下运行，突破了ＤＯＳ６４０Ｋ内存的限制，经正电子漂没实验中常用标准样Ａｌ及典型高分子材料聚四氟乙烯寿命谱拟合验证，结果准确可靠。     

套简石灰窑空气加热器堵塞的应对措施

济钢1^#环形套筒石灰窑因空气加热器管束堵塞影响了正常生产，在分析了加热器堵塞机理及套筒窑煅烧工艺的基础上，采取了以下应对措施：增加1台空气加热器与原有的空气加热器构成并联储备单元，通过特殊设计的阀门实现快速切换，并通过安装高效清灰装置及制定加热器快速离线疏通清理操作方法，解决了堵塞导致的停产问题。     

矿井通风阻力及主要通风机技术测定中存在问题浅析

针对现场测定中存在的通风阻力路线不闭合的情况，提出了主要通风机测定及其性能曲线应用的改进意见。     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒     

基于矩的异分辨率图象边界检测

（１）本文引入仿射变换，提出了一种用矩算子以民分辨率图象直接进行边界检测的方法，利用同分辨率图象正方形窗口的模板行矩的计算，推导出了相应用的边界参数公式。（２）本文提出一种隐线笥插值矩计算方法，得到一组与正方形窗口对应的正方形模板，避免了费时的预插值过程，（３）对本文提出的方法进行了实验验证，并给出了实验结果。     

厚壁封头热旋压工艺试验研究

“厚壁封头热旋压技术”是国家重点科技攻关的项目之一。我们经过一年多的试验和对各项关键技术的攻关,取得了可喜的成绩,为科研成果的转化及产业化奠定了理论基础和试验基础。 国内外市场对热旋设备及厚壁封头产品的需求量很大,仅我国东北地区每年需求厚壁封头就有5000t左右,占据部分市场就可实现相当可观的经济效益。但在我国,中、厚壁封头主要是采用模压和两步法加工,或从国外进口。模压法模具费用