一维硅纳米材料形貌的研究

一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料,由于其形貌不同,导致的电学等特性也不相同,因此一维硅纳米材料的形貌是重要的研究内容之一.一维硅纳米结构包括纳米线、纳米带及纳米管等,同种一维硅纳米材料由于制备方法不同其形貌也不相同.评述了一维硅纳米材料的形貌及其制备方法.     

锗纳米线的制备与生长机理

介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展，主要对溶剂热合成法、化学气相沉积（CVD）法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固（VLS）生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。     

锗纳米针状结构的制备与表征

以锗、二氧化锗为原料,铜片为沉积衬底,通过水热沉积过程制备出了锗纳米针状结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等检测手段对样品进行了分析与表征.结果表明,样品具有典型的针状特征,其长度大于10 μm,由单晶锗和无定形锗氧化物外层所组成.运用金属催化气-液-固和氧化物辅助生长机理,解释了锗纳米针状结构的形成与生长.     

锗纳米线的性能与应用

重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。     

硅纳米线用于纳米器件前的准备工序

硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧化物保护层,直接将这样的硅纳米线应用于纳米器件中时,表面氧化层的保护作用使硅纳米线在电子器件中应用时不能有效地实现欧姆接触,因此对硅纳米线使用前的前期处理是非常必要的。本文主要针对硅纳米线应用于电子器件的准备工序包括为制备完整硅纳米线晶体结构而进行的减少缺陷处理、避免硅纳米线团聚而进行的分散处理,以及使硅纳米线具有有效欧姆接触而进行的表面金属离子处理等作系统的阐述。     

窑用耐火材料及其损毁和再利用

简要分析了水泥回转窑各带耐火材料的性能要求和损毁原因;归类总结并详细分析了窑内常用耐火材料——高铝砖、直接结合镁铬砖、尖晶石砖和高铝浇筑料的性能特点和损毁原因。在此基础上,强调了废弃耐火材料再生循环利用在控制环境危害、节约人类资源和提高产品附加值方面的积极意义。     

废纸造纸污泥陶粒的制备与性能表征

以废纸造纸污泥为原料,辅以集料尾泥(主要成分为粘土)和粉煤灰进行配料,在模拟实际加工工况下制备烧结污泥陶粒,对其微形貌和力学性能进行了表征. 结果表明,当污泥含量高于40%(w)时,有机物氧化释放的热量使高温熔体粘度降低,同时产生的气体压力增大使熔体发胀,从而使陶粒变轻,有明显的降低烧结温度的作用. 当陶粒坯体中含污泥50%(w,干基)、粉煤灰30%(w)、集料尾泥20%(w)时,1140℃烧结后所得陶粒的堆积密度为0.75 g/cm3,盐酸可溶率为0.54%(w),筒压强度为6.32 MPa.     

纳米碳纤维的批量制备和应用

纳米碳纤维具有优异的物理和化学特性,在复合材料、电子器件、储氢等领域极具应用价值,批量制备低成本的纳米碳纤维是应用的关键,介绍了纳米碳纤维批量制备的方法,并对纳米碳纤维的应用和市场前景进行了评述。     

镀锌钢板无机硅烷复合钝化的研究

制备了一种含钛、磷、钒的无机混合液,并掺入到硅烷液中,研究其在镀锌钢板表面的钝化行为.通过CUSO4点滴实验、极化曲线法及扫描电子显微镜测试钝化膜的耐蚀性能及表面形貌.结果表明:镀锌钢板的表面经无机-硅烷钝化后,其耐蚀性明显优于单一硅烷钝化膜的.     

镀锌钢板无铬钝化研究新进展

在我国由于金属材料与周围环境发生化学或电化学反应所带来的腐蚀损失每年大约5000亿元人民币,约占我国国民生产总值的6％镀锌处理是钢铁防腐的一种有效手段,但在一些潮湿或腐蚀性气体环境中,镀锌层也极易被腐蚀破坏,因此,镀锌钢板仍需要进行表面钝化处理．传统的钝化工艺采用铬酸盐钝化处理技术,具有处理工艺简单、膜结合力好、耐腐蚀...