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为了提高Sn9Zn共晶钎料的钎焊性能,通过合金化的方法添加了少量元素In,制备了Sn9Zn-xIn钎料。从钎料合金的熔化特性、润湿特性、界面显微结构和母材粗糙度这四个方面评价了不同In含量对Sn9Zn钎料润湿性能的影响。试验结果表明:少量元素In的添加可以降低钎料的熔点;随着In含量的增加,钎料的润湿力增大,润湿时间缩短,润湿性有明显提高;In含量增加,润湿界面层中Cu5Zn8化合物层厚度增加;对母材表面进行毛化处理,通过改变母材表面的微观几何结构,增大钎料与母材的相对接触面积,从而改善钎料的润湿性能。 相似文献
106.
叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm~2V·s,载流子浓度为2.4×10~(18)cm~(-3),77K 时载流子浓度为7.49×10~(15)cm~(-3);并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs_(0·05)Sb_(0·95)/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。 相似文献
107.
108.
多通路与虚拟环绕声的问题 总被引:2,自引:3,他引:2
在总结环绕声的基本原理和各种分类方法的基础上,着重论述多通路与虚拟环绕声技术近年来的发展,特别是从原理上分析了它们存在的问题。最后探讨了各种系统的发展与应用前景。 相似文献
109.
焦平面输入电路研究 总被引:1,自引:1,他引:1
在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p?蛳i?蛳n 光伏探测器来说约为106 Ω),焦平面才能获得较高的注入效率。 相似文献
110.
减少二氧化碳的排放和可持续性发展——这些是我们这个时代的流行语。为了不辜负这些今天和明天的流行语,需要先进的电控驱动技术涉足新的领域。其中一个最大且最具挑战性的领域是汽车产业.现有的功率模块无法满足该行业的严格要求,这就是为什么它们不能服务市场的原因。为了面对这项挑战,赛米控开发了SKiM(赛米控集成模块),适用于汽车工业的IGBT模块。[编者按] 相似文献