双模制导航弹静稳定性数值分析

采用二阶Roe格式求解三维N-S方程,根据航弹雷诺数较高、计算网格不规则的特点,选用Spalart-Allmaras代数模型。首先,对卫星制导航弹绕流流场进行大量数值模拟,与风洞吹风试验数据对比,验证了数值方法的有效性。在此基础上对双模制导航弹在不同的攻角和不同来流速度以及不同舵偏角下的绕流流动进行数值模拟,对航弹的升阻特性、纵向静稳定性进行了详细分析,获取的气动参数分布规律对此类双模制导航弹气动布局设计具有一定的参考价值。     

减薄工艺对挠性覆铜板表面结构及性能的影响

电子设备的快速发展对挠性覆铜板提出了更薄更轻的要求。本论文研究了铜箔减薄工艺对挠性覆铜板的结构与性能的影响,包括对铜箔减薄前后的微观结构、表面粗糙度、厚度均匀性、耐折性以及剥离强度的研究。结果表明:铜箔经过减薄后,表面粗糙度降低、铜箔厚度均匀性变好、耐折性变好,但波动性增大,剥离强度随铜箔厚度减小而减小,最后展望了未来挠性覆铜板的发展趋势。     

In对Sn9Zn钎料润湿性能的影响

为了提高Sn9Zn共晶钎料的钎焊性能,通过合金化的方法添加了少量元素In,制备了Sn9Zn-xIn钎料。从钎料合金的熔化特性、润湿特性、界面显微结构和母材粗糙度这四个方面评价了不同In含量对Sn9Zn钎料润湿性能的影响。试验结果表明:少量元素In的添加可以降低钎料的熔点;随着In含量的增加,钎料的润湿力增大,润湿时间缩短,润湿性有明显提高;In含量增加,润湿界面层中Cu5Zn8化合物层厚度增加;对母材表面进行毛化处理,通过改变母材表面的微观几何结构,增大钎料与母材的相对接触面积,从而改善钎料的润湿性能。     

InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE

叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm~2V·s,载流子浓度为2.4×10~(18)cm~(-3),77K 时载流子浓度为7.49×10~(15)cm~(-3);并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs_(0·05)Sb_(0·95)/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。     

多媒体钢琴标准音发声器

提出了一种利用多媒体计算机组成的钢琴标准音发生器,利用声卡可产生对应于钢琴１－８８键基音的标准音,而显示器则显示相应的界面,通过鼠标或外接脚踏开关可对发生器进行控制和操作。该发生器可用于钢琴的音准调整。     

多通路与虚拟环绕声的问题

在总结环绕声的基本原理和各种分类方法的基础上,着重论述多通路与虚拟环绕声技术近年来的发展,特别是从原理上分析了它们存在的问题。最后探讨了各种系统的发展与应用前景。     

焦平面输入电路研究

在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p?蛳i?蛳n 光伏探测器来说约为106 Ω),焦平面才能获得较高的注入效率。     

100%无焊接IGBT模块——专为汽车工业而设计

减少二氧化碳的排放和可持续性发展——这些是我们这个时代的流行语。为了不辜负这些今天和明天的流行语,需要先进的电控驱动技术涉足新的领域。其中一个最大且最具挑战性的领域是汽车产业.现有的功率模块无法满足该行业的严格要求,这就是为什么它们不能服务市场的原因。为了面对这项挑战,赛米控开发了SKiM（赛米控集成模块）,适用于汽车工业的IGBT模块。[编者按]     

分布式全光纤微振动传感器研究

振动主动控制是消除干扰和提高机械加工精度的主要手段之一。振动主动控制的前提是对频率在5kHz以上微振动信号进行准确测量。针对现有光纤光栅传感器在测量高频微振动信号上存在的频率低、结构复杂、无法分布式测量等不足,采用频率调制连续波(FMCW)技术结合光强度调制,设计了一种全光纤分布式微振传感器,并通过压电换能器(PZT)微振测量实验和仿真对传感器的性能进行验证,能够分布式测量频率最高为60kHz的微振动信号。     

一种临界导电模式的功率因数校正电路

使用有源功率因数校正技术可有效抑制电网电流谐波和提高开关电源功率因数。文中分析了临界导电模式Boost型功率因数校正电路的电路结构及其工作原理,应用反馈控制理论,研究了功率因数校正环节的控制特性,给出了其电路参数的设计方法,保证在电网电压和负载功率大范围变化时,功率因数维持在0.99 以上。