决战在远为壮阔的沙场

在3月22日于北京举行的CCBN 2004主题报告会上，广电总局副总局长张海涛在讲话中特别提到本文所论及的会议，他说：“上月《世界》系列杂志总编辑谭民望召集业界18位老总与我开了一次很好的会议，18位老总提了非常好的建议。”     

确定气井产能方程的简易方法

基于气体渗流力学理论和二项式产能方程通式, 推导出二项式系数A、B 是地层系数“Kh”的函数表达式, 从而根据测得的已知参数、气藏工程计算的参数(使用试井解释参数更好) 、经验类比取值的参数等, 建立了以“Kh”为未知量的二项式形式的方程, 求解该式中的未知量“Kh”, 得到气井的稳定产能方程, 进而求得无阻流量。计算实例表明,该方法实用、简便, 结果可靠。     

信息化重构企业控制体系

对于现代企业而言,财务管理是企业管理的核心．为此需要研究信息化环境下如何围绕财务管理核心重构企业管理控制体系,以解决灵活反应和严格控制两方面存在的矛盾。中国石油东北销售分公司针对目前石油销售企业中管理现状及其存在问题进行了深入分析．以     

Y2Co8Fe9/PDMS复合材料的微波吸收性能研究

随高频电子器件快速发展,GHz频段电磁污染成为严重问题.本文旨在研究用稀土软磁材料为微波吸波材料.以稀土软磁材料Y2Co8Fe9为填料,制备Y2Co8Fe9/PDMS复合吸波材料,研究不同质量分数的Y2Co8Fe9/PDMS复合材料在2～18 GHz内的微波吸收性能及机理.结果表明:质量分数为70％时,复合材料综合吸波性能最好.在厚度为1.6 mm,频率为13.9 GHz处具有-57.5 dB的最低反射损耗,有效带宽为7.62 GHz,表明Y2Co8Fe9/PDMS复合材料的GHz高频吸收前景好.其反射损耗峰的变化趋势可由1/4波长抵消模型解释,最佳反射损耗峰主要由阻抗匹配和1/4波长相消共同决定.     

三光子吸收效应对孤子对传输的影响

用分步傅里叶变换法求解含三光子吸收效应的光孤子NLS方程，研究了三光子吸收效应对孤子对在传输中相互作用的影响。研究发现，在特定条件下，三光子吸收效应能使孤子对无离合地平行传输。     

激光多普勒扭转振动测试技术的研究

提出了一种差动式可辨向激光多普勒扭转振动测试仪 ,计算并分析了激光多普勒技术的双相检测和矩形光栅的衍射光强分布。采用相位光栅作为光学混频器件 ,提高了测量的信噪比并充分地利用了光能。实验表明 ,该系统能有效地实现旋转轴可辨向扭转振动的测量 ,并可获得较高的精度     

不同V/III族元素比对m面GaN薄膜性能的影响

摘要：采用分子束外延（MBE）方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜表面形貌,对比分析结果,发现V/III族元素比从1:80降低到1:90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,通过物理模型建立和光谱拟合得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且V/III族元素比为1:90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法的结果表明,V/III族元素比较小的样品晶体质量高。     

不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?

采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。     

大规模定制环境下 ERP 的发展

ERP─EnterpriseResourcePlanning企业资源计划系统 ,是指建立在信息技术基础上 ,以系统化的管理思想 ,为现代企业决策层及员工提供决策运行手段的管理平台。从竞争环境的角度出发 ,提出了大规模定制已经逐渐成熟并最终取代大规模生产成为新的生产经营模式的观点 ,同时 ,分析了在大规模定制下传统ERP的局限 ,从管理和技术的角度探讨新一代ERP的特点及发展。