SRAM数据残留现象的机理分析

通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系.确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因.同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响.     

基于CPCI总线的高速并行数字信号处理机

高速并行数字信号处理机在实时数字信号处理中具有重要作用。基于实时数字信号处理思路,研制基于ＣＰＣＩ总线的高速并行数字信号处理机,测试表明,该处理机满足实时数字信号处理要求。     

CuO纳米线中的取向畴

通过简单的热氧化法,可以得到不同取向畴的CuO纳米线结构.利用群论的知识,从理论上推导出CuO纳米线中存在11种畴壁结构,其中5种已经被实验证实.同时,在800℃下得到直径较大的CuO纳米线,利用透射电子显微学相关技术分析发现,这种纳米线中存在一种新的畴壁结构,而且也属于理论上得到的11种畴壁之一.本文利用群论分析,解释了CuO纳米线中取向畴结构的生成机制,对调控CuO纳米材料的生长具有指导作用.     

选区激光熔化4Cr5MoSiV1模具钢显微组织及显微硬度研究

采用选区激光熔化(SLM)技术制备4Cr5MoSiV1模具钢试样,研究激光线能量密度η对显微组织、碳元素损耗及显微硬度的影响。研究表明:SLM成型4Cr5MoSiV1模具钢试样的显微组织主要为马氏体和少量残余奥氏体。脱碳反应、飞溅行为和元素烧蚀共同造成碳元素的损耗,当η=950J·m~(-1)时,碳元素损耗率高达17.7%。随着η的增加,试样的晶粒尺寸增大、碳元素损耗率升高、马氏体含量降低;在同一η下,试样过渡区的晶粒尺寸最小、碳元素损耗率最低,而热影响区的晶粒尺寸最大、碳元素损耗率最高。随着η的减小,孔隙缺陷增多;当η过大时,试样将出现冷裂纹缺陷。当η=905J·m~(-1)时,试样显微组织均匀,致密度高,具有较高的显微硬度(熔池中心区域为710.3HV,过渡区为732.4HV)。     

如何选择直埋光缆的结构

本文根据在某长途光缆干线工程中直埋光缆结构的选型，阐述了选型原则、选型应考虑的环境因素和该工程直埋光缆结构的最后选定。     

利用试验设计方法表征微电路工艺设备

随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高，许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入，而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件，文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案，实现了对实际氧化工艺特定设备的表征，建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型，可进一步用于工艺条件的优化设计。     

基于遗传算法的Kriging元模型及其在模拟集成电路优化设计中的应用

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基准电路设计,取得令人满意的结果.     

一种低耦合位移动镜支撑机构静动态性能分析

为控制FTIR光谱仪中迈克尔逊干涉仪的动镜做一维的精密直线运动,研究了一种低耦合位移的动镜支撑机构。利用单平行和双平行四杆机构的优点,基于柔性铰链设计了一种动镜支撑机构。根据材料力学及机构动力学理论,对基于压电陶瓷（PZT）驱动器驱动的动镜支撑机构系统的静、动态性能进行了分析。仿真结果表明,低耦合位移动镜支撑机构在外力对称作用时无垂直耦合位移,在外力偏移1 mm非对称作用时其耦合转角的数量级（以度为单位）为10-6;在输出相同位移时,动镜机构的最大应力约为双平行四杆机构的0.5倍;动镜机构的基频f为211.3 Hz,PZT驱动器和动镜机构构成的机电系统的固有频率fn为823.7 Hz,fn约为f的4倍,满足动镜支撑机构系统的动态性能要求。该研究为后续的进一步研究打下了基础,具有一定的工程价值及理论指导意义。     

集成于电流模降压型DC-DC变换器的电流采样电路

针对电流模降压型DC-DC变换器,提出了一种新颖的CMOS片上电流采样电路.该电路结构简单,易于集成,功率损耗小,且通过MOSFET的匹配使采样比例几乎不受温度、模型以及电源电压变化影响.并通过进一步的优化设计,使得响应速度更快,工作电压进一步降低.提出的采样电路在一款基于0.5μm CMOS工艺没计的单片电流模降压型DC-DC变换器中进行了验证.在2.5～5.5V的电压范围,0～2A的负载范围内芯片工作稳定,瞬态响应良好,且效率高达96%.