活化煤矸石生态型混凝土长期性能及水化特性的研究

以煅烧煤矸石为掺合料配制了一种煤矸石基生态型混凝土,并与普通硅酸盐水泥和传统矿渣水泥配制的混凝土进行了性能对比.系统地评价了其力学性能发展规律、体积稳定性(湿胀和干缩)及抗硫酸盐侵蚀能力,同时对煤矸石体系、普通硅酸盐水泥体系和矿渣体系的水化特性及主要水化产物进行了系统的表征分析.结果 表明,活化煤矸石生态型混凝土力学性能可以达到传统矿渣水泥混凝土同一水平.同时,煤矸石水泥对混凝土的体积稳定性有一定的劣化,但能显著增强其抗硫酸盐侵蚀能力.煅烧煤矸石具有一定的火山灰活性,其体系中C-S-H凝胶主要以C-S-H(I)为主,平均Ca/Si比为1.39.     

断层赋存条件下采场矿压显现规律研究

通过相似模拟研究了2条断层赋存条件下采场的矿压显现规律,并从应力与应变速率角度解释采动与断层相互作用规律。研究结果表明:工作面未进入断层影响范围时,上覆岩层垮落形态与无断层影响时基本相同。当覆岩裂隙与断层贯通之后,工作面进入断层影响范围,老顶周期垮落步距变小,断层处底板应力达到峰值。第1条断层的影响范围为150 m,且与工作面相距70 m时断层出现较大裂隙,相距40 m时断层整体大规模滑动,上盘悬空;第2条断层的影响范围为80 m,与工作面相距30 m时,断层出现明显滑动迹象,相距10 m时,断层整体滑移失稳。相似模拟结果揭示了动压影响下断层滑移与上覆岩层运移规律,断层影响区域内煤层上方100 m以内的覆岩受到较大扰动,位移明显。工作面过第2条断层时对第1条断层有明显扰动,在现场生产实践中,应当防范多断层赋存时的耦合致灾。     

温度层化环境中线羽流的流动特性

为研究层化环境对内部火灾烟气扩散的影响,以线羽流为研究对象,在正常环境下线羽流流动特性研究的基础上,通过理论分析对恒温度梯度环境中线羽流的流动特性进行了分析研究,得到线羽流的扩散半径、轴心速度、轴心密度差随高度的变化规律,线羽流所能达到的最大高度,烟气浮力发生变化的临界高度等.     

地聚物混凝土耐久性研究现状及发展趋势

地聚物是以硅铝酸盐材料作为前驱体,通过碱激发活化制备出的具有三维网络状结构的新型绿色无机胶凝材料,地聚物相较于普通硅酸盐水泥具有更好的力学性能及耐久性能,且制备过程中能耗低,CO2排放量少,被认为是未来替代普通硅酸盐水泥的最佳材料之一。综述了近年来国内外关于地聚物混凝土的抗碳化性、抗氯离子渗透性、抗酸侵蚀性、抗硫酸盐侵蚀性及抗冻融性的研究进展,并讨论了现有研究所面临的一些问题以及未来研究的发展趋势。结论表明,地聚物混凝土的耐久性受前驱体原料类型、碱激发剂种类、碱激发剂掺量、外掺料、养护方式以及养护温度等诸多因素影响,相比于普通水泥混凝土,因地聚物混凝土内部结构致密且化学性质稳定,使得其在抗碳化性、抗氯离子渗透性、抗酸侵蚀性、抗硫酸盐侵蚀性、抗冻融性等方面均表现出了更好的耐久性。     

打叶复烤生产车间除尘系统构建方法

打叶复烤车间烟叶的加工生产、设备的维护保养都会产生一定浓度的烟草尘微颗粒,为了降低打叶复烤车间的扬尘,提高烟叶的加工质量,改善工人的作业环境,采用合理划分粉尘浓度评价单元,按照检测规范要求设置粉尘浓度检测点,依据粉尘浓度检测结果结合现有的除尘设备现状科学配置除尘罩等方法,同时采用其他防尘措施,使粉尘浓度超标的作业点在采...     

基于TMS320C80 DSP的H.263编解码系统

本文提出了使用单片TMS320C80通用DSP实现H.263实时视频编解码器的硬件方案.本方案实现了低码率H.263编解码系统,实验证明,它能够在20kbps下完成8fps全双工实时H263编解码.     

精确高效的渐变结构片上螺旋电感的电感值分析技术

与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电感值的计算,而改进的wheeler公式计算误差又较大.针对这种情况,文中提出了一种以圈为单位分圈迭代求自感,用整体平均法计算互感的平面螺旋电感的电感值计算方法.该算法分析值与HFSS仿真值相比,误差小于3%,与样品测量值相比,误差小于4%.因此该算法具有计算速度快、精度高的特点,能用于渐变结构片上螺旋电感的高效设计,并可缩短设计周期.     

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进

针对IMEC0．13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25～125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数．在此基础上,为Mextram 504模型对0．13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案．提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程．对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度．     

高精度高灵敏人机交互手势控制算法与SOC芯片

阐述了一种应用于人机交互领域的手势控制算法和片上系统(SOC)芯片设计.手势控制系统基于单摄像头与主动式红外补光方法,通过目标区域提取和特定姿势识别等核心算法,实现了对各类人机交互手势的高效识别.采用目标区域提取算法与主动式红外投影,通过伽马变换、干扰去除等操作实现输入图像的预处理,从而确定手掌所在位置.为了高效判别手势,该手势识别算法采用自适应的采样线方案,根据手掌与传感器之间的距离,自动确定采样线的位置、距离、数目等信息.该SOC芯片全集成所有功能模块,通过55 nm低功率(LP)工艺流片,芯片面积为4 148 μm×5 148μm,总体功耗88 mW,可以实现视场范围大于600 mm×600 mm×600 mm、判别精度不大于1 mm、分辨率不大于1 mm/像素,适用于人机交互手势控制应用.     

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进

针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.