白炭黑改性剂对溶聚丁苯橡胶性能的影响

将偶联剂Si69和KH550、活性剂PEG4000和DPG用作白炭黑改性剂,研究其对白炭黑填充溶聚丁苯橡胶(SSBR)性能的影响。结果表明:改性剂种类和用量对硫化胶性能有较大影响,Si69,KH550,PEG4000和DPG的最佳用量分别为4,8,4和6份;在最佳改性剂用量下,与未改性白炭黑胶料相比,改性白炭黑胶料的加工安全性好,硫化速率快,物理性能、耐磨性能和抗湿滑性能提高;在4种改性剂中,Si69和KH550改性白炭黑在橡胶中的分散性较好,胶料具有较高的物理性能、耐磨性能、抗湿滑性能及较低的滚动阻力。     

金帆奖综合文体类节目获奖心得

在2010年度广电总局电视节目技术质量奖(金帆奖)评比中,上海广播电视台技术运营中心选送的《加油中国——红牛2010宋祖英上海演唱会》获得了标准清晰度电视录制技术质量奖综合文体类一等奖。本文详细介绍了从前期录制到后期制作的方法、经验与遇到的困难,结合技术指标分析了标清节目在纯高清系统中制作时质量控制的可能性。     

光波分复用器件和光学梳状滤波器理论及最新进展

介绍了波分复用（WDM）/解复用器件和光学梳状滤波器（Interleaver)的几种实现方法，分析了各种方法的特点和现状，并提出了实现更密集WDM的一种新途径——DWDM器件和Interleaver级联方案。     

数字化战场与电子战的新要求

从未来战争是核威胁下的信息化战争,和信息战是信息化战争起主导作用的作战样式出发,论述了数字化战场是打赢信息战的要求和物质基础;电子战、信息战是数字化战场的重要组成部分,又是有效对抗数字化战场作战系统的主要手段和方法;提出了先进的电子战技术和强大的电子战能力是与武器装备技术占优势的敌人进行均势或优势对抗的必要条件,并提出了具体的对抗方法。     

ZVS-PWM正激变换器有源箝位磁复位技术的研究

在有源箝位ZVS-PWM正激变换器中,变压器的磁复位技术是其中最关键的一项技术。文章结合仿真和初步的试验结果对有源箝位ZVS-PWM正激变换器的整个工作过程中的能量流动进行分析,总结出使变压器有效磁复位以及开关管ZVS开通的方法。     

宽瞬时带宽脉冲相控阵的校准

1引言 现代相控阵系统要求不断提高带宽。典型地,这些系统采用短脉冲或等价波形。当这种脉冲行经整个系统时,它途经一系列的射频元件,每个射频元件都产生自身的冲击响应,或对等的转换功能。这些射频元件看上去就像滤波器级联,输出脉冲就是每一个元件冲击响应的一系列卷积。这些元件包括宽带相控阵单元。     

宽带一体化接收前端技术的研究

本文构建了一个通用化、标准化、模块化的带射频接收前端,结合指标要求,进行了系统指标的规划及方案 的可行性论证,利用ADS 软件对其关键指标进行了仿真验证,阐述了宽带射端的设计方法及步骤。通过对各个功能模 块的设计、选择、及调试,最终在200MHz-3200MHz 的频率范围内,采用二次变频技术设计了一种超外差接收前端。 介绍了宽带射频前端系统仿真研究、接收机系统的方案选择、大动态范围接收机的实现接收机技术指标的计算与仿真 和发射机系统的设计与仿真。介绍了宽带一体化接收前端技术的系统设计与实现以及2～6GHz 通用接收机研究及关键 电路的设计与实验。     

倾斜角沉积技术制备ZnS双折射雕塑薄膜

使用倾斜角沉积(GLAD)的电子束蒸发技术,制备了倾斜角度在60°~85°之间的ZnS双折射雕塑薄膜(STF)。使用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)检测了ZnS薄膜的结晶状态和断面形貌,使用Lamda-900分光光度计测量了薄膜在不同的偏振光入射时的透过率。研究发现,室温下倾斜沉积ZnS薄膜断面为倾斜柱状结构,且薄膜的结晶程度不高。在相同的监控厚度时,随倾斜角度增大,沉积到基片上的薄膜厚度逐渐变小,但仍然大于余弦曲线显示的理论厚度。根据偏振光垂直入射时薄膜的透过光谱计算了不同角度沉积的薄膜的折射率和双折射。结果显示当倾斜角度为75°时,薄膜的双折射效应最显著,此时Δn=0.044。     

基于0.35 μm SiGe工艺的高速高精度CORDIC处理器的ASIC实现

针对数字信号处理领域高速高精度实时运算的要求,实现了一种16位全流水高速高精度复数运算的通用CORDIC处理器。电路采用半定制设计方法,用0.35μm SiGe工艺库完成综合、静态时序分析、布局布线,最后在200 MHz时钟频率下通过Nanosim后仿真。结果表明,电路达到了高速高精度的设计要求,可广泛应用于信号处理、雷达、通信等领域。