GF（2^m）域高速椭圆曲线加密处理器设计

针对高速椭圆曲线加密应用的要求,设计了一种多项式基表示的有限域GF(2m)上的高速椭圆加密处理器.为提高运算速度,点加和倍点模块并行运算,且分别采用全并行结构实现;为减少资源,初始化和最后的坐标变换求逆模块通过优化分解成一系列乘和加运算,合并在一个模块中用串行结构实现.Xilinx公司的VirtexEXCV2600 FPGA硬件实现结果表明,完成有限域GF(2163)上任意椭圆曲线上的一次点乘的全部运算时间消耗约为31.6μs,适合高速椭圆曲线加密应用的要求.     

落地漫游业务意义和实现方法

1业务需求背景随着中国社会的发展,每年都有大量的人员出国工作,学习和旅游,这部分人员中,有相当部分的旅游人员的手机没有国际漫游权限,导致在境外无法使用电信业务,据中国移动统计,漫游在境外的中国移动手机用户中,约90%忘记开通国际漫游权限,且有部分人根本不知道手机在境外无法自动漫游,需要本人在国内时去营业厅办理该项业务,因此对许多偶尔出国旅游的人造成很多不便。现在各电信运营商之间的竞争日趋激烈,如何满足这部分人的需求,提高客户满意度,尽可能留住在网客户,也是各家运营商急待解决的问题。     

一种低复杂度超宽带通信系统

超宽带通信系统首先要解决的问题是降低系统的功耗和硬件的复杂度。在研究基于TR技术的超宽带通信系统的基础上,提出一种降低ADC实现复杂性的方法,同时对ADC和AGC联合设计,降低超宽带通信系统实现的复杂性。仿真的结果表明,提出的ADC实现方法和传统的2 b ADC的性能相当,但复杂度降低;在前导序列时间内AGC能完成信号的合理放大,使之满足信号的接收解调需要,而在信息数据解调期间不用调整AGC的增益。     

无限缓存下自相似网络通信量复用策略

研究了自相似网络通信量的统计复用策略。首先讨论了在采用FIFO(First In First Out)服务策略且缓存趋于无限大时,满足一定溢出概率要求的统计复用带宽要求,然后对这种情况进行了仿真分析。研究表明网络通信量的自相似特性对复用增益有较大的影响,并且自相似性越强、复用通信量数量越大,所取得的复用增益越大,这对于网络设计是很重要的。     

影响半导体激光器物理特性的影响因素分析与研究

采用当前方法对影响半导体激光器物理特性的因素进行分析时,构建的半导体激光器有限元模型精度较低,得到的分析结果与实际不符,存在分析结果准确率低的问题。提出影响半导体激光器物理特性的影响因素分析方法,通过导热微分方程分析了半导体激光器的导热过程,根据分析结果构建半导体激光器的有限元模型,通过有限元模型对半导体激光器的物理特性进行数值模拟,得到了热沉宽度尺寸、热沉长度尺寸、热沉厚度尺寸和半导体激光器热阻之间的关系。实验结果表明,所提方法构建的半导体激光器有限元模型精度高、分析结果准确率高。     

RFID标签芯片的最新研究进展

射频识别(RFID)系统是一种具有广泛应用前景的自动识别系统。近年来,射频识别技术以快速增长趋势在供应链、门禁、公交系统、行李跟踪等领域获得了广泛的应用。文章详细论述了不同频段RFID标签芯片的最新研究进展,对标签芯片的核心模块射频模拟前端、数字控制器、存储器的研究及发展趋势进行了分析。最后,讨论了标签芯片的发展方向。     

a-Si∶HTFT的寄生效应

a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 ,实验结果表明该方法是有效可行的 ,从而使 L CD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

一种基于小波变换的电视图像分割方法

研究了一种基于B样条小波变换的自动阈值分割算法.提出基于灰度统计特性的直方图移动平均法,从而有效地消除噪声对图像的影响,使图像直方图更加光滑.运用B样条小波变换快速算法,大大减少了计算量.基于小波变换多分辨分析的策略,提出一种多尺度小波变换分割方法,进一步提高了分割精度.通过对算法仿真研究,验证了本算法的可行性及有效性.     

氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究

本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。