基于MATLAB的不规则面积图像测量

数字图像测量作为近年来在测量领域新兴的一种高性能测量技术,在日常生活及科研工作中都有其重要的应用。针对许多复杂环境条件下的测量工作,适时性和非接触性的优点更是使得数字图像测量得到很好的运用。本文介绍了一种在非高精度情形下应用MATLAB测量不规则图像面积的方法,并用实例分析证明其有效性。     

高模量碳纤维复合材料在卫星结构上的应用

卫星技术在航空航天领域占有重要地位,对提高国民经济及强大国防具有重要意义。卫星技术的强弱主要体现在卫星结构的材料性能。高模量碳纤维由于高刚度、轻质化、热变形小的优异特点,在卫星结构上广泛应用。本文介绍了国内外高模量碳纤维的研究现状,综述了高模量碳纤维复合材料在卫星太阳电池阵结构、天线结构、桁架结构及卫星本体结构中的应用,总结出碳纤维复合材料在我国卫星结构应用上存在的不足及亟需改进的方向。     

C/C复合材料摩擦磨损性能研究

综述了国内外对C/C复合材料摩擦磨损性能的研究现状.指出C/C复合材料的摩擦磨损机理为机械磨损和氧化磨损,在高温下(500℃以上)C/C复合材料的磨损是机械磨损和氧化磨损共同作用的结果,而氧化是磨损的根本原因;影响C/C复合材料摩擦磨损性能的因素有材料本身的因素,如复合材料的热解炭结构、密度、石墨化度、防氧化涂层等,也有实际操作条件的因素如刹车环境、刹车过程中的刹车速度、刹车能量等.提出对不同工艺制备的C/C复合材料的摩擦磨损性能有待于进一步研究.     

低温水热法生长ZnO纳米棒阵列的电子结构及光学特性(英文)

使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.     

一种基于固态硬盘的快速高效的ECB256-AES加密引擎的设计

由于FLASH物理特性,固态硬盘广泛应用于政府和安全部门,存储数据安全问题随着产生;AES算法作为当今主要的数据加密标准保护数据安全,但高速AES加密引擎的实施需要消耗大量硬件资源。提出一种低开销轮内流水线的ECB256-AES加密引擎,采用共享加解密模块间的资源和使用查找表方式实现SubBytes与InvSubBytes运算减少FPGA逻辑资源的消耗;使用轮内流水线技术实现高速的加解密操作。在Xilinx xc6slx45-3fgg484上执行ECB256-AES加密引擎,加密引擎占用614个slice,时钟频率达到232.748MHz,吞吐率达到1.986Gbits/s,能够满足SATA1.0接口固态硬盘的读写速率。     

围挡式洁净区的单向流特性研究

通过实验分析围挡式洁净区的3个特性指标，即：流线平行度、乱流度和下限风速，并指出其应用价值和市场前景。     

真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究

本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0～ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。     

添加剂对离心自蔓延高温合成陶瓷层组织结构与性能的影响

为了改善钢管内衬陶瓷层的韧性,在铝热剂中分别添加ZrO2,Al2O3,SiO2进行改性,采用离心自蔓延高温合成工艺制备了钢管内衬陶瓷层,研究了添加剂对陶瓷层形貌、结构和性能的影响.结果表明:加入ZrO2或Al2O3可以改变陶瓷层的组织结构,使Al2O3由树枝状晶变为等轴晶;加入SiO2可在Al2O3枝晶间隙形成网状Ca...     

离子束薄膜合成及其应用

报道了科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长,以及离子注入SOI材料合成的方法及其物理过程,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。     

一种电磁相位可调超表面及其参数特性影响分析

相位可调超表面可以实现目标的虚拟赋形.文中提出了一种偏振不敏感的相位可调对称结构.针对所提出的结构,仿真分析了结构参数和变容二极管RLC电参数对超表面工作频带和相位调控范围的影响.同时,提供了一个具体的结构,以实现4.8 GHz～6.2 GHz范围内超过300°的相位可调能力.该结构具有可扩展性,可根据实际情况进行调整...