硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

本征吸除硅片特性研究

本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60％,以上优品率≥85％。     

综合最优无功/电压控制

本文从提高电力系统静态稳定性、改善电压和减少网损出发，提出了一个综合性能指标和相应的目标函数。综合性能指标体现了无功/电压控制的安全目标，目标函数体现了经济目标。为避免灵敏度法的求逆运算，以便提高速度、减少内存量，应用直接法并采用适合于经济运行的对偶单纯形法求解。变步长和松驰技术的应用使寻优速度更快。     

用万用表判断步进电机的相序和头尾

步进电机的相序主要靠引出线的颜色或长短来区分。如果说明书或标志不清，判断接线就很难了。下面介绍一种用万用表判断步进电机相序和头尾的方法。[第一段]     

长江沿岸城市倡议成立长江污染防治协调委员会

<正> 继1987年长江沿岸城市第二次水污染防治网络会议之后,1988年11月13日至15日在重庆召开了第三次网络会议。参加会议的有长江沿岸20个城市环境保护局、长江水资源保护局的局长和代表、列席代表共88人。会上,上海市环境保护局、南京市环境保护     

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.