基于光伏逆变器调相的网源协调调控运行技术研究

文章针对光伏并网发电给电力系统的安全性、稳定性和经济运行带来的问题和挑战,探讨了合理的网源协调控制策略.在网源协调管理平台架构的基础上,提出了一种将变压器有载调压开关和光伏逆变器相结合的网源协调控制方法.根据灵敏度信息划分不同的控制域,对光伏和有载调压开关进行协调实现调压.通过仿真验证了网源协调控制方法的优越性,该控制...     

湘景系列化婴童家具产品设计赏析

<正>设计师：郝南南作品名称：基于湘西文化符号的可成长新中式婴童家具设计设计说明：新时代背景下,婴童家具的需求量越来越大,我们围绕“新中式”与“可成长”两个关键词展开设计,结合当下年轻父母的审美需求、文化需求,将婴童成长过程中所需要的椅、床、书柜作为系列化家具重新诠释,为孩子提供更加舒适合理的家具。     

连铸板坯结晶器流场的数值模拟

板坯结晶器液面流速对保护渣熔化、坯壳均匀性都有着较为重要的影响.使用瞬态数模模拟的方法对板坯结晶器内钢液流动进行研究,通过对比结晶器液面平均流速,评价了不同参数对结晶器流场的影响.结果 表明,水口倾角由20°将至10°时,表面流速平均值由0.192 m/s增加至0.211 m/s,表面流速提高,有利于保护渣的熔化和流场...     

天然橡胶-氢化丁腈橡胶的共硫化及性能研究

天然橡胶(NR)和氢化丁腈橡胶(HNBR)因不饱和度和极性的差异,存在硫化速度不匹配、填料分散等问题,难以实现两胶的并用。本文通过先制备不同硫黄/促进剂比例的NR和HNBR母炼胶,再将母炼胶并用制备NR/HNBR复合材料,解决了NR和HNBR共硫化的问题。研究了NR/HNBR的相态结构和填料在NR和HNBR两相的分散状态,结合相态结构和填料分散分析了NR/HNBR并用比对复合材料硫化特性、动静态力学性能、耐磨性和压缩温升的影响。结果表明:并用HNBR的复合材料混炼胶的门尼黏度增大,焦烧时间和正硫化时间缩短;随着HNBR含量增加,HNBR相的尺寸增大,硫化胶的硬度及100%和300%定伸应力增加,拉伸强度、撕裂强度、断裂伸长率和拉断永久变形减小,耐磨性和抗湿滑性提高,压缩疲劳温升增大。     

基于概念模型的声学包装吸隔声性能目标分解

在整车设计初期,为实现声学包装吸隔声性能快速、准确开发,克服传统经验开发对标成本高、建模时间长、无法分解至最优解等问题,提出一种基于概念模型的声学包装吸隔声性能目标分解方法.该方法应用统计能量分析(Statistical Energy Analysis,SEA)原理将整车SEA模型分解为防火墙总成、地板总成等26个基本...     

BP网络在蓄电池电压监测单元中的应用

为保证不间断电源可靠地工作,需要在线监测蓄电池的浮充电压。由于不知道准确的函数表达式,不能根据测量参数判断出蓄电池的状态。本文作者通过在微型计算机上运行的matlab软件,采用反向传播人工神经网络计算出精确的数据。再将这些数据存放在单片机内存中,通过查表的方法解决了蓄电池电压监测的困难。该方法在蓄电池电压监测仪中得到了应用。     

基于数学模型的通信数据加密保护系统设计

通信数据在传输过程中,由于受到通信环境噪声以及非法攻击者的攻击影响,使得通信数据容量值降低,用户隐私数据安全受到严重威胁。针对这一问题,在引入数学模型的基础上,开展通信数据加密保护系统设计研究。通过通信传输设备选型、通信连接服务器选型等硬件设计和基于数学模型的通信数据系统加权处理、基于非法攻击者的通信信道盲符号引入、基于通信终端用户的通信数据加密和周期性更换通信数据加密保护密钥等软件设计,提出一种全新的加密保护系统。通过实验证明,新的加密保护系统在实际应用中可有效提高通信数据加密保护的容量值,确保通信数据的安全传输。     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.     

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.