Nb-Si基高温合金定向凝固制备技术的研究进展

Nb-Si基高温合金是一种具有高熔点、较低的密度以及良好的高温蠕变强度的高温结构材料,定向凝固技术可以有效改善该合金的综合力学性能。针对Nb-Si基高温合金的定向凝固技术主要有晶体提拉法、区域熔化法、整体定向凝固法等,本文综述了近年来国内外Nb-Si基高温合金的定向凝固制备技术的研究进展,并对定向凝固技术的未来发展进行了展望。     

一种基于句长的文本水印算法

数字水印技术是文本版权保护的有效手段之一。通过对自然语言文本水印特征的分析,提出了一种基于句长的中文文本水印算法。该算法通过句式变换修改句子的长度来嵌入水印,在水印嵌入前采用DES加密算法并结合散列表技术对段和句子的索引序列进行置乱处理以提高水印的鲁棒性,水印嵌入时算法引入了冗余嵌入和大多数投票机制,通过分析表明该算法具有较高的鲁棒性和较低的误判率。     

ACRT-B法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体的溶质分凝特性

研究了ACRT－B法生长的Mn0.2Cd0.9In2Te4晶体中界面形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数，发现结晶界面为椭球形；采用理想配比生长MnxCd1-xIn2Te4晶体，其4种组元并不按（Mn,Cd):In:Te=1:2:4比例结晶，而是要重新分布；通过数学方法处理实验数据得到Mn,Cd,In的分凝因数在α相区分别为1．286，1．9257和0．7294，在β相区则分别为1．12，1．055和0．985。     

热处理对定向凝固Nb-Ti-Si基超高温合金组织及显微硬度的影响

对以2.5μm/s和50μm/s抽拉速率定向凝固的Nb-Ti-Si基超高温合金试样,分别进行了在1250,1350℃和1400℃保温50h的均匀化热处理。结果表明:均匀化热处理后的组织主要由Nbss,β(Nb,X)5Si3及γ(Nb,X)5Si3相组成,在以2.5μm/s抽拉速率定向凝固的试样中还出现了针状Cr2(Nb,Ti)析出相。随均匀化热处理温度的升高,针状析出相的数量增多;经均匀化热处理后定向凝固试样中的大块六边形硅化物的平直边界和尖锐的棱角逐渐圆润;共晶胞中心的细小硅化物逐渐球化,而共晶胞内板条状的硅化物部分碎化,逐渐变成小岛状。热处理后并没有发生β(Nb,X)5Si3向α(Nb,X)5Si3的晶型转变。同定向凝固态相比较,均匀化热处理后合金的显微硬度显著提高,并且随着均匀化热处理温度的升高,合金及各相的显微硬度先升高后降低,在1350℃/50h热处理后显微硬度值最高。     

Mo-Si-B基超高温合金粉体的机械合金化

采用XRD,SEM和EPMA等方法分析Mo-12Si-10B-3Zr-0.3Y(原子分数)混合粉末在500 r/min转速下进行球磨时的机械合金化行为。结果表明:球磨后在混合粉末中并未形成Mo3Si和Mo5SiB2化合物相,而仅形成了合金元素在Mo中的过饱和固溶体Moss和弥散分布于其中的亚微米级B颗粒。随球磨时间延长,Moss的晶粒尺寸不断减小,其微观应变不断增加,球磨30 h后两者分别约为47 nm和0.53%;从XRD谱可知,球磨2 h后有少量的α-MoSi2生成,但球磨30 h后其衍射峰消失。球磨5 h后混合粉末由层片状的复合颗粒组成,球磨10 h后层片状复合颗粒破裂并转变为等轴状,球磨30 h后混合粉末由平均粒径约1μm的球状团聚体颗粒组成。     

基于不同热力条件下轧辊的变形分析

应用Ansys有限元软件,从传热学和力学角度对万能轧机轧辊的温度场和应力场进行热力耦合场分析,得到了稳定状态下轧辊温度场和应力场的分布规律,并研究了不同温度和轧制力情况下轧辊的变形情况。结果表明,轧辊温度场和应力场呈周期性变化,而且轧辊的变形情况与温度场和应力场分布成正相关关系,模拟数据与现场测得数据误差小于5%,证明模型是可靠的。     

ACRT—B法晶体生长过程的传质模型

基于对ＡＣＲＴ－Ｂ法晶体生长对时流及传质特性的认识，提出了ＡＣＲＴ－Ｂ法晶体生长过程的一维传质模型。得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡区轴向成分分布的解析解。定量计算结果表明，与传统Ｂｒｉｄｇｍａｎ法相比，在生长参数不变的条件下，运用ＡＣＲＴ会失去部分轴向面分均匀区。在保护ＡＣＲＴ提高结晶及径向成分均匀性的前提下，适当提高生长速度，选择尽可能小的坩埚最大转速△ωｍａｘ或选用长径比更大的坩埚，是     

加速旋转波形对ACRT过程Ekuman流场的影响

借助水模拟实验，研究了ＡＣＲＴ过程中加速旋转波形（梯形波、正弦波、三角波和方波）对坩埚中Ｅｋｍａｎ流场的影响。结果表明，梯形波最有利于获得隐定而有效的Ｅｋｍａｎ流，梯形波的加速度大小及恒速时间对Ｅｋｍａｎ流的强北具有重要影响。     

稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术

ＣｄＭｎＴｅ是近年来出现的一种新型半导体材料，由于材料中含有磁性Ｍｎ２＋离子，所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质，同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料，但是，受材料本身特性的限制，采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。本文采用ＡＣＲＴ—Ｂ技术来进行晶体生长，使混料和长晶一次完成，成功的制备出了国内首批ＣｄＭｎＴｅ单晶     

稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术

ＣｄＭｎＴｅ是近年来出现的一种新型半导体材料，由于材料中含有磁性Ｍｎ＾２＋离子，所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学，光学，电学性质，同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料，但是，受材料本身特性的限制，采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。