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一种降低OFDM信号峰值平均功率比的优化算法 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种基于分割传输序列 ( PTS)改善正交频分复用信号峰值平均功率比 ( PAPR)的优 化算法 . 仿真表明优化算法与传统的 PTS相比 ,大大降低了系统的复杂性 ,实现更加容易 ,而它所 带来的 PAPR牺牲非常小. 相似文献
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研究微波处理对新型肉干制品,“萨夫肉”可贮性的影响,结果表明,微波处理具有显著的灭菌防腐作用,有益于改善产品的可贮性,而其灭菌防腐效果取决于产品包装方式,处理方法等诸多因素。 相似文献
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实践证明,实行产教结合,把教学与生产、经营有机的结合起来,是办好高职业院校的必由之路。我院骨干专业之一——服装专业自开办以来,由于较好的解决了产教结合问题,办学规模逐年扩大,教学质量不断提高,为社会培养了一批高级服装技术工人,与此同时,服装产业年创利润也逐年增加。创造了良好的社会效益和经济效益。本文拟就产教结合问题,联系我校服装专业办学实践,谈点看法。 相似文献
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本刊讯根据广州市政府令《广州市绿色建筑和建筑节能管理规定》要求,广州市节能墙革办深入调研.创造性开展“广州市建设工程绿色施工示范项目”评选活动.上海建工五建集团有限公司承建的广州万科白云新城项目脱颖而出.于2013年11月28日通过立项评审.成为广州首个列入绿色施工示范实施计划的项目。 相似文献
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针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRAM SEU敏感性的影响机理。研究结果表明:对5款被测FDSOI SRAM而言,抗SEU能力由弱到强依次为八管加固型SRAM2、冗余加固型SRAM1、双互锁结构(DICE)型SRAM3或SRAM4、双DICE型SRAM5;3款DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU性能优于其他两款SRAM;虽然DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU能力强,但读写错误致存储阵列MCU的影响不可忽略,且该影响随SRAM工作频率的提高愈加严重;衬底偏置通过对寄生双极放大效应的控制来影响FDSOI SRAM的SEU敏感性。 相似文献