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11.
Mach-Zehnder光纤温度传感器的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对Mach-Zehnder干涉仪的干涉原理和温度对光纤的相位调制进行了分析,提出了基于温度对相位调制的全光纤Mach-Zehnder结构型温度传感器,采用CCD与计算机集成系统对干涉条纹进行测量与处理,给出了温度测量数据,实验表明整个温度测量系统具有较高的精度和分辨率。  相似文献   
12.
短脉冲XeCl激光动力学模型及辉光抽运设计   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
以薄膜沉积、外延生长及后续的光刻、激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的,研究了XeCl动力学模型及辉光实现。采用辉光脉冲放电方法,实现了激光输出,根据动力学方程、XeCl激光四能级模型,计算了XeCl反应速率及密度。结果表明,辉光放电稳定,激光脉宽短,功率高,辉光放电体积大,激光脉宽18ns,单脉冲能量450mJ,矩形光斑2cm×1cm,束散角3mrad。动力学分析和系统模型成立,激光对靶材溅射获得了等离子羽辉。  相似文献   
13.
采用磁控溅射方法制备了二价碱土元素微量掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3(LSMO)薄膜。电阻-温度关系表明,薄膜在273K时发生铁磁金属-顺磁半导体相变。在磁场和激光作用下,薄膜呈现出不同的响应特性:在整个测试温度区间内,磁场作用使薄膜电阻变小,在243K时,取得最大磁电阻变化率为21%;激光辐照薄膜在不同的相态显示出不同的变化特性,在铁磁金属态导致电阻增大,而在顺磁半导体态则致使电阻减小。从能带理论的角度定性地分析了产生该现象的原因是外场对eg电子的作用不同。  相似文献   
14.
利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)靶材,并采用脉冲激光沉积(PLD)的方法在LaAlO3(100)、MgO(100)和SrTiO3(100)衬底上沉积了外延薄膜,研究了衬底与薄膜之间的晶格不匹配度对LSMO薄膜输运和光诱导特性的影响.结果表明:随着晶格不匹配度(考虑符号)的增加,薄膜的相变温度升高,而电阻率和光电导△ρ值则减小.在低温金属相,光诱导致使电阻率降低;高温绝缘相光诱导则使得电阻率升高,在MgO和SrTiO3衬底上薄膜的光电导△ρ具有极大值和极小值,分析表明这一现象的出现可归结于双交换作用和极化子效应.  相似文献   
15.
硝基氯苯体系固液平衡研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
利用差式扫描量热法,测定了硝基氯苯同分异构体二元及三元固液平衡 t—x关系。同时,利用表征分子特征的拓扑指标θ关联溶液的过量自由能 G~E。计算了二元及三元硝基氟苯同分异构体的固液平衡。G~E 方程式为G~E=RT 式中 k_(ij)为通过实验确定的两分子相互作用参数。上式计算值与实验值的偏差小于2K。  相似文献   
16.
半导体PbSe薄膜的研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
综述了PbSe薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的优点.重点探讨了温度、薄膜厚度和缓冲层对PbSe薄膜质量的影响.概述了PbSe薄膜在红外探测器和激光器方面的应用,指出了PbSe薄膜现存的问题及今后工作的重点和方向.  相似文献   
17.
研究了电子型掺杂钙钛矿薄膜La_(1-x)Ce_xMnO_3的输运性质和外场作用下的输运机理。研究表明,La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜呈现出典型的金属-绝缘体转变,且与Ce的掺杂浓度相关。电阻-温度曲线表明,在低温时,电子-电子散射和磁畴对电子的散射是电阻形成的主要原因,而在高温下,小极化子的跳跃机制起主要作用。通过激光照射样品表面,发现光场诱导金属-绝缘体转变温度向着低温区偏移,该现象产生的原因在于La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜内部铁磁相与顺磁相的共存,此外,高能量的激光对样品的电阻变化影响更明显。进一步研究表明,Ce的掺杂浓度将会通过金属-绝缘相变对La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜的磁电阻效应产生显著的调制作用。  相似文献   
18.
本文中研究了电子型掺杂钙钛矿薄膜La1-xCexMnO3的输运性质和外场作用下的输运机理。研究表明,La1-xCexMnO3薄膜呈现出典型的金属-绝缘体转变,且与Ce的掺杂浓度相关。电阻温度曲线表明,在低温时,电子-电子散射和磁畴对电子的散射是电阻形成的主要原因,而在高温下小极化子的跳跃机制起主要贡献。通过激光照射样品表面,发现光场诱导金属绝缘体转变温度向着低温区间偏移,该现象产生的原因在于La1-xCexMnO3薄膜内部铁磁相与顺磁相的共存,此外,高能量的激光对样品的电阻变化影响更明显。进一步研究表明,Ce的掺杂浓度将会通过金属-绝缘相变对La1-xCexMnO3的磁电阻效应产生显著的调制作用。本文将为新型能量转换器件的开发与应用提供新的研究思路。  相似文献   
19.
利用磁控溅射法在Si(110)基片上制备了Zn0.95-xLixMn0.05O(x=0,0.05)薄膜,研究了Li掺杂对Mn-ZnO薄膜结构、电学和磁学性能的影响。XRD结果表明,样品薄膜具有高度的c轴择优取向,并且没有发现其他杂相。AFM表明,Li掺入Mn-ZnO使得薄膜颗粒均匀、质地致密。霍尔测试表明,Li掺入Mn-ZnO使载流子浓度增加,然而没有改变其n型导电类型。磁性测试表明,Li掺入Mn-ZnO使得室温铁磁性增强,可由束缚极化极子(BMP)模型解释。  相似文献   
20.
采用射频(RF)磁控溅射法制备稀土掺杂铁氧化物La0.3Sr0.7FeO3(LSFO)薄膜。电阻-温度关系表明,薄膜在测量温度范围内呈现半导体导电特性,其主要源于Fe3+和Fe5+离子的电荷有序排列,同时薄膜在250K时发生电荷有序态转变。激光作用诱导薄膜电阻减小,且光致电阻相对变化在190K时取得极大值为56.3%。利用变程跳跃模型对电阻温度曲线进行分析讨论,表明激光作用的内在机制是激光辐照诱导电子退局域化。  相似文献   
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