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21.
在微波辐射及相转移催化剂聚乙二醇-600催化条件下无溶剂法制备大茴香腈的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以大茴香醛为原料,在微波辐射及相转移催化剂聚乙二醇-600催化作用下由SiO2/Na2CO3-NaOH混合碱促进的无溶剂一步法直接制备大茴香腈.确定的最佳反应条件是:大茴香醛与盐酸羟胺物质的量比为1:1.4-1:1.6;对应每mmol大茴香醛,SiO2的用量为0.25-0.30 g;催化剂为n(PEG-600):n(Na2CO3-NaOH)=7:3,彻底研磨后用微波辐射功率为730 w,反应时间为3-4 min,制备效果最佳.在此条件下从大茴香醛制备大茴香腈的平均得率达90.18%. 相似文献
22.
23.
对于六桥臂电压源型逆变器供电的双定子绕组异步感应电机,为提高逆变器直流母线电压利用率,并抑制电流谐波,提出一种新的脉宽调制(pulse width modulation,PWM)算法。该方法利用空间矢量分解的原理,在低次谐波被消除的基波空间计算参考电压矢量,并在过调制区通过叠加原理选择合适的开关状态矢量重构参考电压矢量,从而实现从线性调制到方波控制的平滑过渡。详细介绍该调制算法的基本原理,并进行实验。研究结果表明,该算法下的输出基波电压幅值与调制比呈线性关系,且定子绕组电流谐波含量也得到了明显抑制。 相似文献
24.
一种基于MRAS的异步电机速度辨识方法 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出了一种在静止坐标系下实现的模型参考自适应系统,以辨识异步电机的转速.该方法的参考模型和可调模型分别由电机定子侧和转子侧的方程构成.参考模型中不含定子电阻,并且避免了纯积分运算,因而在宽速度范围内具有较好的鲁棒性.可调模型包含电机转速的信息和一个电流模型转子磁链观测器.当电机转速的估计值收敛于转速的真实值时,观测的转子磁链也收敛于其真实值,可将其用于直接磁场定向控制中.另外,为避免对定子电流的纯微分,本文应用微分跟踪器以提取高质量的微分信号.数值仿真和实验结果验证了该方法的有效性. 相似文献
25.
本文介绍了高性能DDS芯片AD9858的主要特点和配置方法,论述了方案的原理和可行性,以图形的方式说明了硬件结构的设计方法.详细描述了输出线性调频信号的控制流程。 相似文献
26.
针对高校在IT基础设施管理过程中存在的问题,根据四川广播电视大学信息技术中心的工作流程,采用PHP语言设计开发了基于Tink PHP架构的IT基础设施管理系统.IT基础设施管理系统合理利用现有的软件和技术,克服了传统人工管理的弊病,使得IT基础设施管理更科学化、系统化、规范化、更快捷方便,更准确化,从而大大改善了管理的质量,健全了分析评价体系,使得IT维护人员的管理技术和效率大大提高,并为学校后期设备采购、硬件调控等提供了有效的决策支持 相似文献
27.
提出了一种同时测量强吸收衬底上薄膜厚度和折射率的方法。对生长于强吸收衬底上的透明薄膜,提出在该薄膜上镀一层薄金属,形成金属-薄膜-强吸收衬底的类波导结构。由于小角度入射光在强吸收衬底上具有较强的反射率,使该结构可容纳一系列共振模。利用自由空间耦合技术和导出的共振模模式本征方程,同时确定透明薄膜的厚度和折射率。实验中测量了硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的折射率和厚度,测量的相对误差均小于10-3。该方法具有简便、可靠、可测量任意折射率薄膜的优点。 相似文献
28.
建立柱前衍生化HPLC法测定柊叶游离氨基酸的方法,对其营养价值和风味进行评价。柱前衍生化HPLC法以异硫氰酸苯酯为衍生试剂,色谱条件为:C18色谱柱(4.6 mm×250 mm,5μm),醋酸钠缓冲液-乙腈(93:7)和乙腈-水(4:1)为流动相,进行梯度洗脱,流速为1.0 mL/min,柱温40℃,检测波长为254 nm。结果表明,18种氨基酸均呈现良好的线性关系(R2>0.9990),柊叶游离氨基酸的平均回收率分别为98.3%~105.6%(RSD为0.63%~3.11%,n=6)。所建立的方法稳定、灵敏、重现性好,可用于柊叶游离氨基酸的定量分析。柊叶含有18种氨基酸及8种人体必需氨基酸,必需氨基酸总量为38.85%,接近于WHO/FAO模式值(40.0%),各种必需氨基酸组分达到WHO/FAO氨基酸成人模式的需求;鲜味氨基酸和甜味氨基酸的含量分别为10.73和5.20 mg/g,占呈味氨基酸总含量的22.58%和46.59%;鲜味氨基酸Asp和甜味氨基酸Thr的含量较高,分别为3.75 mg/g和3.33 mg/g,鲜味氨基酸Asp和芳香族氨基酸Cys的RCT值分别为125.00和20.50,对风味贡献最高。总之柊叶氨基酸种类齐全,比例合理,呈味氨基酸含量丰富,具有极大开发价值。 相似文献
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30.
由于碳化硅(SiC)的材料特性,在极端温度下,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOS-FET)相对传统硅基器件有突出优势.目前对SiC MOSFET暂态温度特性的研究,主要以单管小电流实验为主,大电流下暂态温度特性的研究还不充分.为分析和验证大电流下暂态温度这一特性,在理论分析的基础上,以CREE 1200... 相似文献