电磁屏蔽涂料用银基粉体材料研究

采用机械合金化等技术,制备了导电性能优异的Ag系、Ag/Cu系、Ag/Ni系粉体材料和电磁屏蔽涂料.粉体材料微细,呈片状;涂料表面电阻、电阻率低,满足使用要求.优异的导电性能使得涂料具有良好的电磁屏蔽性能,复合涂料的电磁屏蔽效能在100 kHz～1.5 GHz频段范围内可达到30 dB～90 dB.对电磁屏蔽涂料的屏蔽效能进行了理论分析.     

AgCuNiSi扁丝轧制工艺研究

对AgCuNiSi合金丝材进行扁丝轧制,研究了AgCuNiSi扁丝轧制过程中宽展行为以及组织与性能的演变。结果表明,轧制法可以获得尺寸波动很小、高精度的扁丝;AgCuNiSi扁丝的宽展量可以用M. Kazeminezhad宽展公式来预测;扁丝轧制过程中对第二相颗粒有破碎和弥散分布作用;随着压下率的增加,硬度分布更加均匀,由不均匀变形逐渐转变为均匀变形。通过压下率的控制,可以获得均匀变形的AgCuNiSi扁丝。     

银铜侧向复合材料界面结合机理分析

本文采用“包覆锭坯+扩散烧结+冷轧复合”联合工艺制备了银铜侧向复合带材,利用金相显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）和能谱仪（EDS）观察分析银铜复合界面结构和元素分布,并分析其银铜复合界面的结合机理。结果表明,银铜复合界面形成过程为：1）银铜接触界面处凹凸不平的表面在轧制力的作用下相互咬合,形成机械结合界面;2）接触面在轧制力的作用下,银铜表面氧化膜破裂,新鲜表面质点间在轧制变形热的作用下产生原子结合;3）在扩散烧结过程中,银铜界面处的原子在高温作用下被激活,银铜原子相互扩散,在界面处发生银铜共晶反应形成液相金属层,随着烧结时间的延长,其共晶反应液相层厚度逐渐增加,随后冷凝结晶,使银铜实现侧向冶金结合。4）在后续中间退火过程中,共晶层与两侧的铜、银基体相互扩散,铜、银原子向更深的方向逐渐扩散,在靠近共晶层铜侧和银侧逐步形成固溶体层,使银与铜的结合强度进一步提高。银铜侧向复合界面结合机理包含机械咬合结合、接触共晶反应自钎焊结合和原子扩散结合3种,复合界面结合强度较好,剪切强度达220 MPa。     

RhZr2电子结构和弹性性质的第一性原理

通过基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理(First Principles),分别应用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)平面波超软赝势法,计算四方晶相RhZr2基态的电子结构和弹性系数矩阵。对四方晶相结构的RhZr2进行几何优化,对其能带结构、总态密度和分态密度以及差分电荷密度进行研究,并计算RhZr2晶体的原胞总能量与形成焓。计算得到RhZr2的弹性系数C11、C12、C13、C33、C44、C66分别为195.38、176.80、109.00、235.65、11.12、24.51GPa,体积模量为156.92(±2.22)GPa,在[100]、[010]和[001]方向上的杨氏模量分别为34.77、34.77、171.80GPa,切变模量Gxy、Gzx、Gzy分别为24.79、14.57、19.68GPa。     

粉末冶金法制备新型铜基电接触材料的组织与性能分析

利用粉末冶金法制备了新型铜基电接触材料,与传统熔铸方法制备的同类材料相比较,粉末冶金制品组织均匀、晶粒细小;显微硬度达到102．45HV,较熔铸法高7．12HV;电导率为28．58ms／m,较熔铸态样品下降了5.5ms／m;粉末冶金制品高温抗氧化性能优异。     

机械合金化法制备CuW(85)电接触材料工艺研究

探索了机械合金化制备铜钨复合粉末、冷等静压成型、氢气气氛烧结制备CuW(85)电接触材料的工艺。对所制备的材料进行显微组织观察和性能测试,分析了不同工艺对材料性能的影响。     

碳纳米管增强铜基复合材料性能及产业化应用研究现状

碳纳米管（CNT）增强铜基复合材料作为一种新型金属基复合材料，在集成电路、航天航空、汽车运输等领域展现了广阔的应用前景。综述了碳纳米管增强铜基复合材料摩擦学、电学、热物理学等性能方面的研究及应用状况；分析了国内外产业化应用及其发展状况；指出了目前研究中存在的问题及其解决办法。     

中小企业网络营销策略中的网络广告研究

随着网络的普及,网络营销越来越受人们的亲昵,网络广告已成为当前中小企业网络营销策略中必不可少的、急需深入研究的话题,文章深入分析网络广告与网络营销策略的关系,网络广告与网络营销策略之间的相互影响,使中小企业在网络营销策略中充分发挥网络广告的效用。     

拉曼散射分布式光纤温度传感器的设计

文章论述了基于反斯托克斯／斯托克斯比值的分布式光纤温度传感器系统，对其信号处理技术进行了全面而深入的研究。采用光时域后向散射技术来获取温度信息，并用时域信号数字积累平均方法来提高系统的信噪比，据此建立了分布式温度传感器。