全文获取类型
收费全文 | 60篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 5篇 |
专业分类
综合类 | 3篇 |
化学工业 | 16篇 |
金属工艺 | 17篇 |
机械仪表 | 2篇 |
矿业工程 | 4篇 |
无线电 | 2篇 |
冶金工业 | 24篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 4篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 1篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 1篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有68条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
对钛卤盐热裂解法生产高纯钛的工艺条件进行了研究.通过正交实验分析,我们得出了钛卤盐热裂解法生产高纯钛的最佳工艺条件:当卤化剂用量在500g左右,基底截面直径为6mm,低温区(卤化源区)和高温区(热裂解区)温度分别控制在500℃左右和1100℃~1200℃之间时,所得产品经电子束熔炼后,纯度可以达到4N8. 相似文献
12.
13.
以粗钛和自制的卤化剂为原料,采用化学气相沉积法(CVD)制得高纯钛。结合热力学和晶体形核-长大理论对CVD高纯钛的反应热力学和成核热力学因素进行了分析,并依据热力学分析结果,重点归纳了温度对CVD高纯钛沉积速率的影响,并结合实验对分析结果作出优化,得出了CVD法生产高纯钛的最佳温度控制条件:碘化源区温度应控制在750~850 K,沉积区温度应控制在1350~1450 K。 相似文献
14.
15.
16.
17.
18.
20.