两侧下拉电极MEMS压控电容的分析和优化

基于能量法对两侧下拉电极控制(SPEC)的MEMS(微机电系统)压控电容进行了分析和优化。使用数值迭代方法计算了压控电容可动极板的挠度试解函数,得到了试解函数形状在不同驱动电压下的曲线。计算结果与有限元仿真所得结果一致。在此基础上,给出了基于铝材料的两侧下拉电极MEMS压控电容的优化过程,得到了优化结果。对于初始应力5 MPa,杨式模量70 GPa,极板厚度1.5 μm,极板间距1 μm,总长度为600 μm的铝材料压控电容,控制电极采用70 μm的优化长度,可以实现变化比率为2∶1电容变化比率。结果表明采用(SPEC)结构的压控电容,能有效地减小或避免静电微机械结构特有的"崩塌"效应,获得较大的电容调节范围。     

10kV开关型无损耗故障限流装置的研制及试运行

研制用于限制110kV主变10kV侧的开关型无损耗电网故障限流装置,以解决日益严重的电网短路电流超标问题。通过带电、挂网运行,验证了该装置满足安全性、有效性和可靠性的要求。     

反时限过流保护模型优化与曲线交叉研究

反时限过流保护在我国一些电力设备以及低压电网中逐步得到应用,但是反时限过流保护在待定参数的设置和保护配合等方面整定较为复杂。针对实际使用情况,文中补充了反时限特性曲线模型的表达。考虑到现有整定优化模型存在的缺陷,在现有计算模型的基础上,通过确定优化目标权重系数,对计算模型进行适当优化,IEEE5节点计算证明新的优化模型能减少总体保护的动作时间,缩短重要线路的保护时间,加长普通线路的保护时间,提高系统的可靠性。对于配合曲线存在交叉的情况,提出一种比较简单的处理方法,为后续研究提供计算和编程的思路。     

低损耗衬底上实现无源低通滤波器

分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.     

一种X波段RF MEMS开关的设计与制作研究

设计并制作了一种X波段的电容式RF MEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH．有效降低了“关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型．使用Agilent ADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明：驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0．69dB@11．6GHz;“关”态的隔离度约27．7dB@11．6GHz。     

三极板型RFMEMS压控电容的分析与制作

设计并制作了基于硅基的射频微机械压控电容.该电容采用三对极板的传动结构,当两侧控制极板受到静电力驱动时,位于中部的电容极板将得到更大的位移.能量分析和软件模拟表明,该结构有助于提高压控电容的变化比例.测量表明,该电容品质因数为17@2GHz,并具有较大的电容变化比例(大于50%).该电容工艺简单,实现温度较低(小于350℃),具有与CMOS工艺集成的可行性.     

装粉方式对钛粉压制成形影响的数值模拟

用MSC.Marc软件模拟了3种不同装粉方式下钛粉压制成形过程中粉末的流动情况及压坯的密度分布规律.结果表明:粉末装粉方式对粉末压制过程及压坯密度有较大的影响,与平式装粉方式相比,采用凸式装粉,试样的烧结坯密度提高了6%,孔隙分布的均匀性也得到相应的改善.     

浅谈当前110kV输电线路的状态检修

110kV输电线路的状态检修是目前针对线路等电力设备进行故障排除和预防的一个重要手段,也是目前一种先进的检修方式。笔者用多年经验在文中提出了检修的问题和技术,及应该注意的问题分析。本文仅供参考。     

3种二组元粉体的混合特征

为了探明粉末物性差异对混合过程效果的影响,将形状不规则的Ti粉、近球形的Al2O3粉和Al粉分别与Fe粉按相同比例构成3种二元粉末体系,并通过实验测定了这3种粉末体系在圆筒型混合器中混合过程均匀度的变化,并对混合过程进行了理论分析.结果表明:粉末物性的差别对混合过程产生明显的影响,在相同填充率和转速下,经过50 s的混合,流动性较好的Al2O3粉、Al粉与Fe粉的混合均匀度分别达到0.048和0.025,扩散系数分别为0.293和0.375;而流动性较差的Ti粉与Fe粉却未得到有效的混合,混合均匀度只达到0.275,扩散系数为0.064.