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多孔型铝阳极氧化膜(AAO)的形貌及相结构分析 总被引:3,自引:0,他引:3
在相同的工艺条件,分别用磷酸、磷酸与草酸混合溶液为电解液制备了多孔铝阳极氧化膜(AAO);用TEM观察了膜的形貌,表明膜的表面有排列较规则、具有一定准周期性的微孔,微孔的孔径大约为75nm;对于在磷酸与草酸混合酸中氧化的工艺,氧化膜较厚,通过扫描电镜观察,其膜厚在50μm左右。X射线衍射分析表明,在低于600℃热处理的条件下铝箔表面的阳极氧化膜基本上是以无定形态存在,经900℃热处理无定形氧化铝开始结晶出γ-Al2O3,用该工艺制备的铝阳极氧化膜无定形态较稳定。 相似文献
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GaN纳米棒的制备及机理研究 总被引:4,自引:2,他引:2
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒.测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构.通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果.在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒.因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构. 相似文献
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北京中轴线延续至今得益于自元大都开始连续的建设,历经明、清、民国发展至今,空间形态基本保存完好,它的空间演化亦是城市历史和发展的见证. 相似文献