Al-Si-Zn合金的直接氧化生长

通过热重分析,研究了高温下Zn引发剂以金属和氧化物两种形式的引入对Al-Si合金直接氧化生长过程的影响.结果表明:当合金中Zn含量超过3%(质量分数)时,能生成Al2 O3/Al复合材料,且随着Zn含量的增加,孕育期随之缩短,复合材料的生成量也随之增加;ZnO粉末覆盖量的最佳值为31 mg/cm2,超过此值时,孕育期会随之延长,复合材料的生成量也随之减少.同时还发现,覆盖ZnO粉末比添加Zn金属具有显著优势,更有助于Al2 O3/Al复合材料以光滑方式氧化生长,形成细化胞状晶团,提高组织的均匀性和致密度.     

坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响

研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响。在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚。用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度，并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况。实验结果表明，石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者：当坩埚的石墨化程度较低时，晶体的生长速度快，生长速度由生长温度所控制；随着坩埚石墨化程度的提高，晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制；当石墨化度进一步提高的时候，籽晶被碳化，晶体不能正常生长。     

可加工陶瓷研究进展

介绍了国内外可加工玻璃陶瓷、石墨系复相陶瓷、h-BN系纳米复相陶瓷、可加工层状复相陶瓷、可加工多孔陶瓷、稀土磷酸盐系复相陶瓷和Mn＋1AX。化合物等7种可加工陶瓷的制备机理的研究现状,并对该领域今后的发展方向进行了进一步探讨。     

反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究

研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数、显微组织对其电阻率的影响.随着烧结气氛压力和成型压力增加,反应烧结碳化硅中游离硅量减少,电阻率增加.其烧结机理以碳的溶解及碳化硅的淀析过程为主.     

拓扑法计算硅/碳化硅材料的电阻率

用拓扑关系将硅 /碳化硅材料转化为具有 3个不同显微结构单元的整体 ,建立了等效电路 ,结合相关试验 ,计算了不同显微组织的硅 /碳化硅材料的电阻率。得到的理论计算结果与实验值的综合相对误差仅为3.9% ,分析比较了各相含量和分布形态对硅 /碳化硅材料整体电阻率的影响。结果表明 ,提高低电阻率硅的体积含量和其分布连续性 ,可降低材料的整体电阻率。该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的硅含量和分布形态 ,为确定制备材料的显微结构设计提供指导。     

钛表面的氧化对钛瓷结合强度的影响

研究了钛表面氧化对钛/瓷结合强度的影响, 并采用溶胶凝胶技术在钛表面制备SnO_x中间层, 研究SnO_x层对钛/瓷结合强度的影响. 结果表明：空气炉中800℃氧化3min后, 钛/瓷结合强度明显下降; 烤瓷炉中预氧化3min, 钛/瓷结合强度无明显变化. 热处理使钛表面生成一层金红石型氧化层, 钛/瓷剥脱主要发生在金红石氧化层与钛之间. 采用溶胶-凝胶法经300℃处理后在钛表面制得的SnO_x涂层, 可有效隔绝氧向Ti表面的扩散, 防止钛表面的过度氧化, 提高了钛/瓷结合强度. 经SnO_x涂层处理后, 钛/瓷剥脱主要发生在SnO_x涂层内.     

Solid state reaction synthesis and total electrical conductivity of La_(0.7)Sr_(0.3)Cr_yMn_zCo_(1-y-z)O_(3-δ)

The La0.7Sr0.3CryMnzCo(1-y-z)O3-δ samples were prepared by solid state reaction.The phases,microstructure and properties of the samples were investigated by XRD,SEM,DC four-probe method and iodometry method.The single orthorhombic phase La0.7Sr0.3CryMnzCo(1-y-z)O3-δ perovskite oxides were obtained when sintered at l350 °C for 10 h.The oxygen nonstoichiometry of the materials varied inversely with the total electronic conductivity.The sample with composition of La0.7Sr0.3Cr0.5Mn0.35 Co0.15O3-δ had the maximal total electronic conductivity and the lowest oxygen nonstoichiometry which were 22.4 S/cm and 0.040 at 850 °C,respectively.The low total electronic conductivity is related to the low relatively density of the samples directly.The activation energy of conduction changed at 550 °C,and the activation energy of conduction at high temperature(T550 °C) was higher than that at low temperature range(T550 °C).     

显微结构对浸银石墨材料性能的影响

研究了浸银石墨材料基体与浸渍银显微结构对材料力学与热膨胀行为的影响,讨论了材料组织结构与性能的关系,提出了满足高温使用性能要求的材料所应具有的显微组织结构特点。     

碳化硅材料在冰晶石熔液中的侵蚀行为

研究了气、冰晶石、铝液三相区介质在温度为900℃时对碳化硅材料的侵蚀行为。分别用光学显微镜和扫描电镜观察了试样在熔液区域的横截面以及试样与三相区的界面形貌。研究结果表明：碳化硅材料在熔融的冰晶石混合介质中表现出良好的抗腐蚀性能；铝液对碳化硅材料有侵蚀作用，而电解质、空气界面对碳化硅有较强的腐蚀行为。分析和探讨了各相介质对碳化硅材料的腐蚀机理以及腐蚀产物的相组成。     

反应烧结SiC材料的高温氧化行为研究

研究了反应烧结SiC材料在 110 0℃空气中的高温氧化行为。结果表明 :反应烧结SiC在110 0℃的氧化动力学曲线符合抛物线规律 ;材料的氧化受O2 和CO在玻璃态硅酸盐中的扩散所控制 ;材料中的杂质元素降低了SiO2 氧化膜的粘度 ,促进了O2 和CO在氧化膜中的扩散