激光分析仪在型煤炉制气半水煤气氧含量分析中的应用

可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术的西门子的SITRANS SL激光气体分析仪在型煤制气中的应用。根据实际情况,对其光路结构进行改造,以满足现场需求。     

一种去注意力机制的动态多层语义感知机

Transformer在大规模数据集上取得了优异效果,但由于使用多头注意力使得模型过于复杂,且在小规模数据集上效果不理想.对于多头注意力替换的研究在图像处理领域已取得一些成果,但在自然语言处理领域还少有研究.为此,首先提出一种去注意力的多层语义感知机(multi-layer semantics perceptron,MSP)方法,其核心创新是使用token序列转换函数替换编码器中的多头注意力,降低模型复杂度,获得更好的语义表达;然后,提出一种动态深度控制框架(dynamic depth control framework,DDCF),优化模型深度,降低模型复杂度;最后,在MSP方法和DDCF的基础上,提出动态多层语义感知机(dynamic multi-layer semantics perceptron,DMSP)模型,在多种文本数据集上的对比实验结果表明,DMSP既能提升模型分类精度,又能有效降低模型复杂度,与Transformer比较,在模型深度相同的情况下,DMSP模型分类精度大幅提升,同时模型的参数量大幅降低.     

集成电路封装溢料问题探讨

溢料问题是集成电路封装过程中常见的质量问题,如何减少溢料的发生和去除溢料方法是封装工程师、电镀工程师以及材料生产商和模具制造商共同探讨的课题。文章详细阐述了集成电路封装过程中常见的溢料发生机理,描述了溢料对组装的危害、如何防止溢料的发生以及溢料去除方法,并且对溢料去除方法的未来发展进行了展望。文中对溢料的发生机理方面进行了细致的研究,从材料、设备以及工艺方法等方面进行深入的解析,提出了有效的改善措施。另外,对业内溢料去除的几种方法进行介绍的同时,强调了各种溢料去除方法的效果及对产品质量的影响,并进行了有效评估。文章对溢料发生和去除方法的探讨是建立在理论基础之上,运用最细致的解析手段进行剖析,更具有指导意义,为提高集成电路封装良率以及组装良率提供理论支持。     

孔隙对陶瓷基复合材料强度影响的研究进展

陶瓷基复合材料具有较强的结构特性,是一种多相体材料.其力学性能及损伤破坏规律不仅取决于各组分材料性能,同时也取决于细观结构特征.对于复合材料的强化,通常是通过掺入夹杂物以提升其界面强度.但是由于夹杂掺入的不均匀性,以及制备工艺无法排净的空气和其他杂质,使得基体尤其是界面附近的基体,不可避免的存在孔隙,这些孔隙在受到外部载荷时产生裂纹继而扩展,造成材料失效.因此通过研究材料在遭受外部载荷冲击时,其在细观层面的损伤演化与宏观失效表现的关系,从细观层面分析材料损伤演化的规律和断裂机理,不仅可以为复合材料的制备提供理论上的指导,而且还可以通过对材料细观结构的进一步优化达到设计材料的目的.本文介绍了陶瓷基复合材料在制备过程中产生的缺陷、缺陷致使材料发生损伤失效以及缺陷对复合材料有效强度影响的研究现状,在总结复合材料相关研究成果及不足的基础上,结合仿真建模分析手段对下一步复合材料有效强度问题研究进行了展望.     

发酵型高粱黑粉真菌饮料的研制

探讨一种发酵型高粱黑粉真菌饮料的制备工艺.对原料浸提液的制备进行单因素试验,结果表明:料水比1:50(g·mL)、浸提温度70℃、浸提时间5 h制得的原料浸提液感官品质最佳.同时通过正交试验,研究发酵时糖和面包酵母的加入量以及发酵温度和时间对饮料口感、色泽、发酵后香气和状态的影响,其结果是:糖添加量8%,酵母添加量1%,发酵温度26℃,发酵时间24h,制得的高粱黑粉真菌饮料酸甜爽口,风味独特.     

唐河污水库对北侧地下水的影响

本文在作了一系列分析后,提出了污水库对北侧地下水水库影响程度的评价。     

转炉钢水用Fe—Al—Si复合脱氧剂代替金属铝脱氧

为提高铝在钢中脱氧时的收得率和降低金属铝的消耗,鞍钢第三炼钢厂于1986年进行了用Fe——Al——Si复合脱氧剂取代金属铝使钢水脱氧的试验。所用Fe——Al——Si复合脱氧剂的化学成分为,Al45％,Si20％,C0.3％,P、S小于0.08％,余量为Fe。复合脱氧剂的比重为     

基于刚柔耦合的导轨滑块移动副建模

以导轨滑块机构为例,讲述了其刚柔耦合仿真的具体实现方法.首先在SolidWorks中建立导轨滑块三维模型,然后在ANSYS中生成导轨柔性体的模态中性文件,通过软件接口导入到ADAMS中,从而得到所需的柔性体,将滑块设为刚体,生成柔性多体动力学模型,为精确进行动力学仿真和实际物理样机的制造提供了基础.     

铜丝键合工艺研究

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。