冷却方式对低钛高炉渣矿物组成和矿相结构的影响

应用X射线衍射仪、偏光显微镜和扫描电镜对水淬和空冷低钛高炉渣的矿相组成、显微结构、TiO₂分布规律及其差异性进行研究.结果表明:水淬渣和空冷渣中主要矿物组成均为玻璃质、钙钛矿、钙铝黄长石和镁硅钙石,但是两种炉渣中各矿物组分含量相差较大,空冷渣中钙铝黄长石和钙钛矿的平均体积分数分别为62.5%和12.5%,是水淬渣中钙铝黄长石和钙钛矿的2.27倍和1.92倍,而玻璃质的平均体积分数不足水淬渣的1/3.水淬渣和空冷渣中矿相显微结构差异较大,空冷渣中钙铝黄长石为钉齿状,而水淬渣中钙铝黄长石为呈羽毛状和针状,且结晶粒度较小,钙钛矿在水淬渣和空冷渣中分别呈星点状和树枝状分布,两种炉渣中镁硅钙石都为纺锤体形;水淬渣中TiO₂主要分布在钙钛矿、玻璃质和钙铝黄长石中,而空冷渣中TiO₂主要分布在钙钛矿和钙铝黄长石中,并且空冷渣中钙钛矿TiO₂的分布率比水淬渣高8.41%,空冷方式更有利于将TiO₂聚集在钙钛矿中.      

应用低钛高炉渣的半钢炼钢:脱磷热力学与工业试验

基于低钛高炉渣资源化综合利用和提高转炉半钢炼钢脱磷效果的考虑,对低钛高炉渣进行喷吹CO_2法脱硫处理后,配入25%~30%的氧化铁皮制备成半钢化渣球用于半钢炼钢。采用建立半钢渣系的脱磷热力学模型和工业试验的方法,对此半钢化渣球冶炼半钢的脱磷能力和冶金效果进行研究。研究结果表明:随着炉渣中TiO_2和Al_2O_3含量的升高,炉渣的脱磷能力降低,特别是当炉渣碱度和温度较低时,脱磷能力降低更快;在两种氧化物含量相同的情况下,TiO_2比Al_2O_3的负面影响更大;随炉渣碱度的增加,炉渣的磷分配比和磷容量均呈先升高后持平的趋势;随渣中w(FeO)的增加,炉渣的磷分配比和磷容量均先升高后降低;随w(MgO)的降低,炉渣的磷分配比和磷容量逐渐降低。采用半钢化渣球冶炼半钢,渣中w(TiO_2+Al_2O_3)和w(FeO)升高,炉渣碱度和w(MgO)降低,控制炉渣碱度在4.0左右,炉渣不仅具有较高的磷分配比和磷容量,并且可以弱化(TiO_2+Al_2O_3)对脱磷能力的影响,确定其加入比例为总渣量的15.0%~20.0%。留渣+化渣球法冶炼半钢的前期平均脱磷率增至58.59%,为原冶炼工艺的1.57倍,吨钢石灰消耗和终点钢水[O]含量分别下降3.48kg/t和112×10-6。     

基于大数据技术的多变量短期电力需求预测研究

针对传统多变量短期电力需求预测方法没有归一化处理电力数据,导致预测性能较差、精度较低,提出基于大数据技术的多变量短期电力需求预测方法。在电网大数据框架中,连接MONGOOSE数据库引擎与短期电子服务器,完成大数据技术支持下的短期电力环境搭建。基于大数据技术,通过确定神经预测网络层数的方式,实现电力需求数据的归一化处理,根据多变量短期预测误差的计算结果,实现基于大数据技术多变量短期电力需求预测方法的应用。实验结果表明,研究方法的电力需求预测有效性更好,预测精度更高。     

环流预汽提组合旋流快分系统分离性能的实验研究

针对新型旋流快分器与密相环流预汽提器的优良特性,将两者耦合成一套完整的快分系统. 通过大型冷模实验,研究了该快分系统的分离特性,并考察了操作条件对系统快分效率及快分压降的影响规律. 结果表明,该系统能较好地实现气固高效分离,具有较大的操作弹性和优良的操作稳定性,冷态下分离效率在98.5%以上,最高可达99.93%,快分压降分布合理. 根据实验结果,得到该系统分离效率及压降的经验模型,计算值与实验值吻合较好.     

低成本精细配煤结构的研究及应用

为突破传统国标热性质指标的限制,提出了由1050℃,1110℃,1150℃,1200℃,1250℃,1300℃六个测试温度条件组成的焦炭综合热性质检测方法及相应评价指标(等溶损反应25％后强度CSR25).结果表明:依据焦炭传统国标热性质指标指导配煤结构优化,仅增配3％(质量分数,下同)的气煤较为理想;根据焦炭综合热性...     

高能复合射孔技术及其在低孔低渗储层中的应用研究

高能复合射孔技术将射孔与高能气体压裂解堵融为一体,用导爆索对射孔弹及复合固体推进剂同时点火,射孔弹沿不同相位爆轰射孔,可有效克服常规聚能射孔的穿深浅、无法突破近井污染带、存在压实伤害等缺陷,可有效破除常规聚能射孔在岩石基体中产生的压实带.固体推进剂爆燃产生的高压气体沿射孔孔眼压裂地层,在近井带形成的高导流孔缝网络,可大大提高射孔孔道附近地层的渗透率,大幅度增加渗流面积,改造低渗储层的效果比常规射孔技术更为明显.文中的现场应用效果表明,该技术增产增注效果明显、安全可靠、成本低,对提高低孔低渗油气田产能的效果显著.     

超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系

在Ｎ－Ｓｉ〈１００〉衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构．研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系．研究结果表明：在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加．为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ１∝Ｆ２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２，Ｊ２∝Ｆｅｘｐ（－Φ２／ｋＴ）．Ｊ０为低场漏电流．Ｊ１从实验数据可以求出，电子从Ｎ型Ｓｉ〈１００〉隧穿超薄ＳｉＯ     

C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较     

快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究

用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理．