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51.
研究了增容剂苯乙烯-丁二烯-马来酸酐共聚物(MPC 1545R)、四苯基双酚A二磷酸酯(BDP)与磷酸三苯酯(TPP)复配阻燃剂及不同螺杆组合工艺对聚碳酸酯(PC)/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料(ABS)合金性能的影响。通过扫描电子显微镜分析了PC/ABS合金的微观结构。结果表明,MPC 1545R对PC/ABS合金起到了较好的增容效果,单一BDP阻燃剂,BDP与TPP复配阻燃剂均可显著提高PC/ABS合金的阻燃性能,BDP与TPP复配阻燃剂的阻燃效果比单一阻燃剂BDP好,当PC,ABS,MPC 1545R,BDP和TPP用量分别为70,30,5,10,3.5份时,制备的无卤阻燃PC/ABS合金的极限氧指数为27.9%、阻燃等级为UL94 V-0级,综合力学性能最好。适当地降低螺杆的剪切强度,提高螺杆的分散能力,可以获得力学、阻燃性能及外观较好的阻燃PC/ABS合金。 相似文献
52.
一种基于流形拓扑结构的轴承故障分类方法 总被引:5,自引:0,他引:5
根据不同故障类型的轴承信号在高维相空间中呈现不同结构的流形形态,提出了基于流形拓扑结构的轴承故障无监督分类方法.新方法首先将反映轴承状态的一维振动信号重构到高维相空间中,利用相点邻域的切空间信息逼近流形的局部几何结构,从而得到描述流形拓扑结构的矩阵;对所有样本构成的流形拓扑结构作多向主元分析后,将获得的主元信息作为特征集输入到C-均值分类器中进行轴承的状态识别.用轴承在正常状态、内圈故障、外圈故障的试验数据进行验证,结果表明,与传统的利用振动统计量为特征输入的方法相比,新方法能够更完整地刻画信号特征,获得更准确的分类识别率. 相似文献
53.
54.
55.
在平整机的轧制过程中,轧辊表面承受巨大的接触应力、交变应力和摩擦力作用,易产生裂纹。在复杂载荷的作用下,裂纹会成为疲劳核心,其尖端的应力急剧增加并导致裂纹扩展,严重时会造成断辊事故发生。同时,裂纹的不断扩展伴随着应力波的释放,产生声发射(Acoustic emission,AE)现象。利用声发射技术对平整机轧辊裂纹进行定位,不需要全辊身进行逐点扫描,检测效率高,实时性好。针对平整机轧辊的声发射三维定位中存在的定位多源性干扰问题,提出基于信息熵的轧辊裂纹声发射三维定位方法。利用信息熵对声发射参数进行权重的量化,进而获得评价轧辊状态的综合指标;根据正常辊综合指标的分布,确定干扰源的指标范围;利用此范围将裂纹辊中的干扰源有效剔除,进而提高裂纹辊的定位精度。利用该方法对某钢厂冷轧平整机的正常辊和裂纹辊的试验数据进行分析,处理前后的结果验证了方法的有效性,为准确及时地检测出裂纹的位置信息、保证轧辊的安全生产提供有力的数据支持。 相似文献
56.
可调负荷、电动汽车等各种负荷侧资源快速发展,对其进行精准调控是目前重要的研究热点。为充分发挥配电网柔性负荷的调节能力,提出一种基于改进交替方向乘子法的配电网柔性负荷分层集群调控方法。首先,采用综合层次聚类算法对柔性负荷进行分层集群;其次,基于纳什谈判理论,将原问题分解为成本最小化和收益分配2个子问题,建立配电网柔性负荷集群调控模型;然后,引入自适应变参数加速因子,提出改进的交替方向乘子法;最后,通过模拟算例验证所提方法的有效性。结果表明,所提方法能够有效实现大规模柔性负荷接入情况下的集群调控,收敛性能较常规方法有所提高。 相似文献
57.
古典家具的工业化是目前家具业的一个重要课题。本文针对古典家具工业化生产的要求,提出了与工业化相适应的古典家具的造型与装饰理念,并对典型造型符号进行了游离与应用。从装饰题材与装饰手法的选择入手,对解决传统雕刻方式费力费时的问题进行了较为详细的论述。 相似文献
58.
An organic light-emitting diode(OLED) device with high efficiency and brightness is fabricated by inserting CuO_x/Cu dual inorganic buffer layers between indium-tin-oxide(ITO) and hole-transport layer(HTL). The CuO_x/Cu buffer layer limits the operating current density obviously, while the brightness and efficiency are both enhanced greatly. The highest brightness of the optimized device is achieved to be 14 000 cd/m~2 at current efficiency of 3cd/A and bias voltage of 15 V, which is about 50% higher than that of the compared device without CuO_x/Cu buffer layer. The highest efficiency is achieved to be 5.9 cd/A at 11.6V with 3400 cd/m~2, which is almost twice as high as that of the compared device. 相似文献
59.
60.