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962.
963.
采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2. 相似文献
964.
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究,结果表明,随着扩散温度和时间增加,p-n结结深显著增加,u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料(5×1016 cm?3)趋于缓变。根据实验结果计算了530 ℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10?12 cm2/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2 μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布,结果表明:有效光敏面积显著增大,对实验数据的拟合求出了少子扩散长度LD为63 μm,与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm2,变温测试得到激活能Ea为0.66 eV,通过拟合器件的暗电流成分,得到器件的吸收层少子寿命τp约为5.11 μs,与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。 相似文献
965.
966.
为改进转杯纺的工艺性能和成纱效率,根据转杯国家标准及其结构特征,针对抽气式转杯开发了APDL参数化设计程序.文章在优化数学模型构建和有限元分析基础之上,采用零阶方法实现了转杯机械力学性能动态优化.结果显示:当滑移面角度α为18.13°、长度L为17.98 mm时,转杯基频f1逼近值达到最大(7425 Hz),相对于初始... 相似文献
967.
基于《软件项目管理》课程特点与教学中存在的问题,结合新工科背景下人才培养的要求,本文在教学方面提出了以知识传递与内化为目标的教学方式,在考核方面建立了多元化过程化的考核模式.新的教学与考核方式,不仅体现了以学生为中心的教学理念,激发了学生学习积极性,而且照顾了学生能力的多样性. 相似文献
968.
969.
针对打纬共轭凸轮的设计难度及复杂性,通过综合运用数值计算、程序开发、几何建模和机构仿真来保证其设计精度.根据剑杆织机共轭凸轮打纬工艺要求,在MATLAB环境下构建了一种改良梯形筘座加速运动规律,并将其应用于主、副凸轮理论廓线设计.计算确定了合理的凸轮压力角和滚子半径,分析结果表明,凸轮与滚子从动件之间具有良好的传力特性... 相似文献
970.
本文针对铝木结合模板的施工应用进行研究,结合超高层商住楼工程案例,从铝木结合模板的技术优势和选型、铝木结合模板的施工技术、铝木结合模板的施工效益3个方面进行分析。实践表明,铝木结合模板具有多种技术优势,将其运用在超高层商住楼的施工中具有良好的质量效益、工期效益和经济效益,可在类似工程项目中推广。 相似文献