Clair油田——管理裂缝性油藏水驱开发中的不确定性

Clair油田于2005年2月投产。Clair油田是一个大油藏（〉4O亿桶储罐原始石油地质储量），位于设得兰以西75公里处。它是英国已开发的最大的天然裂缝油藏，并且用水驱开发。该油田的评价期长达28年，反映了该油藏高度复杂、常规地震成像质量相对较差和传导性裂缝的不确定性影响。[第一段]     

适用于探井中的薄储层实时高分辨率地层评价和地层测试方法

薄储层在马来盆地日益成为海上勘探的目标。这些储层表现为垂向呈非均质性且包括领导储层流动特性。本文描述了确定这种储层特性的实时高分辨率地层评价和地层测试方法。 薄储层的地层评价有以下几个目的：①判断可能的油气层；②通过地层测试和取样确定产能和流体类型；③计算纯产层厚度及误差范围。 由于地层几何形态和岩性的原因，所以评价过程比较复杂。储层厚度通常小于地层评价测井仪的分辨率。储层岩性为粉砂，呈细粒结构，所以要求有高质量的井眼电阻率图像才能确定其几何形态。探井为评价储层的勘探前景提供了最好的机会，但因为操作的限制和经济的限制，不可能对每一个可能储层都进行取心或测试。因此，实时评价方法必须确切地判断勘探远景，以便进行下一步测试。 本文要描述的实时地层评价包括以下几个步骤：（1）针对以下参数进行现场岩石物性分析：①孔隙度；②粘土、矿物和流体的体积；③根据GR能谱元素产额、核及声波孔隙度以及阵列电阻率测井资料得到的渗透率；（2）识别薄层并通过电阻率成像仪计算砂层总有效厚度；（3）验证现场岩石物性分析结果以及开始读取测井数据后2h之内的井眼图像，并设计电缆测试和取样程序。用一种模块式电缆地层测试器测量储层岩石的现场压力并建立流体梯度，判断流体界面。除此之外，通过预测试分析估算局部地层渗透率，并来验证用地层评价方法判断薄层的产能。     

智能玩电脑：自动开机，定时关机

学校限时用电，可我一玩起来就老是忘记时间，搞得宿舍里一片漆黑才想起会停电的事情，所以就想弄个可以在断电前几分钟自动关机的程序，防止突然断电对硬盘的伤害。但是找了半天没找到一个软件符合需要的，大多都只能设定一个时间。还不如用批处理加at命令来的方便，说干就干。     

降额定电压源逆变器调节风力驱动自励磁感应发电机的电压和频率

本文论述独立式定桨距风能变换系统中（WECS）自励磁鼠笼式感应发电机的电压和频率的调节。并联连接电压源逆变器（VSI）和可控卸载电路作调节之用。VSI的直流边接蓄电池组以便它能吸收和输出有功率从而提高系统的效能和可用性。具有独立控制有功和无功功率的VSI的控制电路，使得蓄电池组充电状态保持在安全范围而最大限度地发挥VSI的电压调节能力。风力叶轮、自励磁发电机和VSI的额定能力的诸多特性都被充分考虑．以确定在给定风速状态下能够调节电压和频率的负载大小。推荐的该系统的可行性由模拟试验得到证明。     

八十年代阻燃剂的展望

<正> 八十年代对材料的阻燃性提出了新的要求。人们更关心的是材料燃烧后的产物和逸出的烟气毒性大小,并不断研究制订燃烧后产物对人体和动物的毒性的标准测试方法和建立一种衡量对人体危害性的指标。它将包括以下几个因素:着火的容易程度、燃烧速率、烟气挥发     

ΦBB—112型振动式过滤离心脱水机

<正> 现在,苏联有40多家选煤厂使用过滤式离心脱水机对末中煤(13—0毫米)进行脱水。由于中煤中含矿物杂质较多,所以中煤的摩擦系数较大,属于难于运输的物料。这是中煤沿振动式过滤离心脱水机转子(母线倾斜角为10°)移动时被卡住的原因。     

土壤改良渠道草覆盖糙率的计算

有草覆盖的渠道底和边坡的糙率与纯土质河床的糙率应当有所不同。虽然国内外就此问题作过研究,但到目前为止,在渠道水力计算机,没有经常考虑这一点。在均匀流渠道的水力计算中,通常采用谢才(LLIe3M)公式,而此式中的流速系数C则用不同的方法来确定。众所周知,H.H.巴甫洛夫斯基公式被认为是最精确的。在实际工作中,也常用曼宁     

铝电解槽开动初期生产条件变化对热传导的影响

前言采用寿命长和电压低的焙烧阴极碳块,对保证实现具有同样高的标准性能的侧衬结构设计将变得更加重要。实际,侧部内衬应设计成保证形成电解质冷凝复盖层。但是,显然由于所有的侧部内衬都受浸蚀,所以始终未能达到设计标准。对于侧部内衬破损机理的争论,常常都趋于回避重要问题,不管是否由于设计问题     

G-M循环低温制冷机的yong分析

本文提出了G-M循环制冷机的yong分析。考察了各组件中的yong损失，并以列表的形式给出yong平衡。可见，主要损失发生在压缩机和冷端。     

清除高剂量离子注入中产生的表面沾污

采用Auger电子分光镜(AES)检测由高剂量离子注入产生的硅上表面沾污层。纵向剖面分析证明当在注入机靶室的真空系统中用普通扩散泵油,Si~ 或BF_2~ 的高剂量注入导致～100A厚的碳质表面层。注入机剩余真空的碳氢化合物的物理吸附以及辐照感应聚合反应是形成这种沾污层的最大原因。在重注入硅中经常观察到这种沾污层可引起非均匀腐蚀特性和非欧姆接触结构。用有机溶剂清洗或过氧化物清洗溶液,在550℃下退火100分钟,并按势垒层剥除工艺估计阳极氧化及HF解吸作用。只发现HF解吸和阳极氧化对完全清除聚合层有效。实质上,用过氟化聚醚油替换靶室真空系统中的普通扩散泵油清除沾污。最近几年,在制造双极晶体管,FET源和漏区以及在其它各种应用中,对用高剂量离子注入工艺的要求日益增长。然而,已知离子束感应吸附的碳氢化合物聚合,导致在离子注入的样品(1.2)上形成碳化表面沾污层。注入机的剩余真空是碳氢分子的主要来源。沾污层的厚度随剂量的增加而增长,所以,重注入Si呈现出可注意到的沾污问题,反冲碳可产生结构上损伤浅P—n结的反相电流,并在注入退火后形成硅碳化物。为了更好的了解这种沾污问题并阐明解决方法,使用Auger电子分光镜(AES)检查在各种注入条件下制备的高剂量注入的硅表面层。估计了各种表面层的剥离技术,也分析了注入机真空系统中的注入温度效应和扩散泵油的种类。最后,估计化学腐蚀和欧姆按触结构对表面沾污的效应。